Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: InAs/GaInSb

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Detektory średniej podczerwieni (MIR) na bazie supersieci II rodzaju ze związków InAs/GaInSb

Gawron W., Orman Z.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 10

22-24

Artykuł przedstawia wyniki badań średniofalowych detektorów podczerwieni na bazie supersieci II rodzaju ze związków InAs/GalnSb. Badania te prowadzone są w VIGO System SA w ramach realizacji zadania nr 3 programu zamawianego PBZ - MNiSW 02/I/2007. Podstawę do konstrukcji fotodiod stanowią struktury z supersieci II rodzaju z InAs/InGaSb, wykonane w ramach zadania nr 2 PBZ - MNiSW 02/I/2007, realizowanego równolegle w Instytucie Technologii Elektronowej.

This article presents state of the art of new generation of infrared detectors based on low dimensional solids - type II InAs/GaSb superlattices for photovoltaic detectors. This paper has been done in Institute of Applied Physics Military University of Technology VIGO System SA under financial support of the Polish Ministry of Sciences and Higher Education, Key Project PBZ - MNiSW 02/I/2007.

Detektory podczerwieni na bazie supersieci II rodzaju ze związków InAs/GaInSb

Kaniewski J., Gawron W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2010

Vol. 51, nr 10

87-89

Supersieci ze związków InAs/GaInSb krystalizowane na podłożu z GaSb umożliwiają wytwarzanie detektorów podczerwieni pracujących w zakresie widmowym 3...25 µm. Supersieci te stanowią atrakcyjną alternatywę dla związków HgCdTe. Technologia otrzymywania supersieci InAs/GaInSb jest we wstępnej fazie rozwoju. Główne trudności związane są z przygotowaniem podłoży do epitaksji oraz z otrzymywaniem skokowych obszarów międzyfazowych w supersieciach. Odrębne zagadnienia dotyczą technologii struktur, prowadzącej do wykonania detektorów oraz ich pasywacji.

InAs/GaInSb based superlattices grown on GaSb substrates can be used for fabrication of infrared detectors operating in 3...25 µm spectral range. The superlattices are attractive alternative for HgCdTe compounds. Technology of InAs/GaInSb superlattices is far to be well established. Main difficulties are related to wafer preparation before eptiaxy and superlattice interface quality. Processing, passivation and assembling of detectors are permanently developed.