Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2011

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: InAs/GaAs QDs

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Identyfikacja procesów emisji nośników w kropkach kwantowych izotermiczną techniką DLTS

Kaczmarczyk M., Kaniewska M., Engström O.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 9

175-178

W celu charakteryzacji kropek kwantowych, QDs, niestacjonarną spektroskopią głębokich poziomów (DLTS) przy użyciu standardowych procedur identyfikacja procesów emisji nośników ze stanów skwantowanych jest niezbędna. W niniejszej pracy traktując kropki kwantowe z InAs/GaAs jako obiekty przykładowe oraz stosując DLTS do ich charakteryzacji prezentujemy metodę, która taką identyfikację umożliwia. Polega ona na pomiarze sygnału DLTS, S, w stałej temperaturze, T, w funkcji częstotliwości repetycji impulsów elektrycznych, f, (FS-DLTS)i napięcia polaryzacji zaporowej. V(sub)R, oraz prezentcji danych w postaci konturowych wykresów na płaszczyźnie (f, V(sub)R). Pokazujemy że na tego typu wykresach procesy tunelowania nośników mogą być identyfikowane poprzez odpowiadające im kontury dodatnio nachylone i mogą być łatwo rozróżnione od procesów termicznych, z którymi wiążemy kontury o nachyleniu ujemnym. Kiedy metodę stosujemy do badań QDs z InAs/GaAs kontury (f. V(sub)R, S) wykazują wysoki stopień skomplikowania z uwagi na dużą złożoność procesów emisji. W celu interpretacji otrzymanych wyników wykonano symulację widm, wykorzystując przy tym model, którego funkcjonalność sprawdzono wcześniej badając te QDs techniką DLTS w modzie przemiatania temperatury (TS-DLTS).

A method is presented, which enables to differ between various emission processes for charge carriers leaving quantum confined energy states in quantum dots (QDs). It is based on measurements of DLTS signal, S, as a function of the repetition frequency of electrical pulses, f, and reverse bias voltage, V(sub)R, with data representation as contour maps on a (f, (sub)R)-plane. In such a plot, tunneling processes should give rise to contours with positive slopes, whereas thermal processes should reflect in negatively sloped contours. When using the method to study the processes in InAs/GaAs QDs a more complex plot is obatined as a result of a complexity of the emission phenomena. In order to interpret the data theoretical calculations were performed with a model, the validity of which was confirmed when studying the InAs/GaAs QDs by themperature scanned DLTS (TS-DLTS). It takes into account thermal processes, pure tunneling and mixture of these, which occur in the two energy system with the ground slates s and excited states p. On the basis of teoretical results and comparison with experimental data at 45 K on the same (f, (sub)R, S)-plot it was concluded that a two-step thermal emission from s to p and further to the conduction band and thermal s to p processes followed by tunneling to the conduction band are the main proceses, that occur in the InAs/GaAs QDs. The method presented here is an alternantive approach to that earlier presented for identification of emission processes in QDs based on TS-DLTS.