Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Przegląd Elektrotechniczny

1 2017

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: In2S3

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Effect of annealing on the structure of thermal evaporated In2S3 thin films

Gremenok V., Reddy K. T., Tivanov M., Patryn A.

Przegląd Elektrotechniczny

2017

R. 93, nr 8

89--91

Structural studies on In2S3 thin films deposited by vacuum thermal evaporation on glass substrates at a temperature of 240oC, followed by annealing at 330°C and 400°C are presented. It was shown that the films were of amorphous in nature before annealing and after annealing the films became polycrystalline and showed β- In2S3 structure. The grain size increased and followed the usual crystal growth process as the annealing temperature increased. The annealing-induced changes of surface roughness were characterized by atomic force microscopy.

Przedstawiono wyniki badania struktury cienkich warstw In2S3 naniesionych metodą termicznego osadzenia na szkło w próżni w temperaturach od 240oC i kolejnym wygrzewaniem w temperaturach 330oC i 400oC. Ustalono że warstwy miały amorficzną naturę przed wygrzewaniem, po wygrzewaniu wykazywały strukturę polikrystaliczną typu β-In2S3. Rozmiar ziaren powiększał się na skutek aktywnej nuklearyzacji i to przyczyniało się do zwykłej krystalizacji ze wzrostem temperatury. Zmiany zostały przeanalizowane za pomocą AFM.