Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Przegląd Elektrotechniczny

1 2021

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: ISWA

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Study of the side walls inclination angle after RIE process of piezotronic structures

Owczarzak Sławomir, Stafiniak Andrzej, Prażmowska Joanna, Paszkiewicz Regina

Przegląd Elektrotechniczny

2021

R. 97, nr 5

94--98

Control of geometric features of fabricated semiconductors structures such as shape, depth and slope of side walls allows precize control the shape of fabricated piezotronic devices. The electrical response of the piezotronic materials is the most significant when the frequency of the input mechanical signal corresponds to the resonant frequency of the structure. The resonant frequency of the structures is defined by the structures properties and geometry. Therefore, the main aim of piezotronic structures fabrication during reactive ion etching process is receiving the assumed geometrical features. The fabrication of GaN structures with assumed geometric features requires taking into account parameters such as: inclination side walls angle of mask, selectivity of etching [semiconductor: mask], density and width of pattern, and target depth of structures. In this article, the half-empirical equation and the results of research on GaN structures inclination side walls angle evolution in function of pattern width were presented.

Kontrola geometrycznych parametrów wytwarzanych półprzewodnikowych struktur, takich jak: kształt, głębokość i kąt nachylenia ścian bocznych, umożliwia precyzyjną kontrolę kształtu wytwarzanych przyrządów piezotronicznych. Odpowiedź elektryczna materiałów piezotronicznych jest największa, gdy częstotliwość sygnału mechanicznego odpowiada częstotliwości rezonansowej struktury. Częstotliwość rezonansowa struktury zależy od właściwości materiałowych oraz kształtu. Z tego powodu, głównym celem kształtowania struktur piezotronicznych w procesie reaktywnego trawienia jonowego jest otrzymywanie struktur o zadanych wymiarach geometrycznych. Otrzymywanie struktur GaN o zadanej geometrii wymaga uwzględnienia parametrów procesu trawienia, takich jak: kąta nachylenia ścian bocznych maski, selektywność trawienia, gęstość trawionych wzorów, szerokość wzoru oraz docelowa głębokość struktury. W artykule przedstawiono pół-empiryczne równanie i wyniki badań dotyczących wpływu szerokości wzoru na kąt nachylenia ścian bocznych struktur GaN.