Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: IR FPA

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Ocena skuteczności kalibracyjnych metod korekcji niejednorodności w zastosowaniu do matrycy detektorów mikrobolometrycznych

Orżanowski T.

Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej

2011

Vol. 60, nr 4

177-186

W artykule przedstawiono wyniki badań metod korekcji niejednorodności odpowiedzi matrycy detektorów podczerwieni (IR), w których współczynniki korekcyjne wyznacza się na podstawie odpowiedzi matrycy na jednorodne promieniowanie IR ciała czarnego. Badania prowadzone były przy użyciu matrycy mikrobolometrycznej wykonanej w technologii krzemu amorficznego oraz systemu i cyfrowego przetwarzania sygnału z matrycy, zaprojektowanego w układzie programowalnym FPGA. Jako źródeł promieniowania IR użyto powierzchniowych ciał czarnych wykonanych w Instytucie Optoelektroniki WAT. Testowane były algorytmy korekcji niejednorodności z liniową oraz nieliniową aproksymacją charakterystyk detektorów IR w matrycy. Przedstawiono również modyfikację algorytmu korekcji dwupunktowej, w którym do kompensacji niejednorodności odpowiedzi detektorów bolometrycznych użyto zewnętrznej przesłony na obiektyw.

In this paper, the nonuniformity correction (NUC) methods for an uncooled infrared focal plane array (IRFPA) that use the detectors response on an uniform radiance of infrared reference to calculate the suitable NUC coefficients are evaluated. Tests were carried on an amorphous silicon microbolometer IRFPA by using a digital system implemented on a field-programmable gate array (FPGA) device to readout the IRFPA output. As the infrared references, extended surface blackbodies developed at the Institute of Optoelectronics, MUT were applied to tests. The NUC algorithms with linear and nonlinear approximations of the IR detector characteristics were examined. Moreover, the modified two-point nonuniformity correction method which uses an external shutter of the lens to compensate an influence of a camera housing temperature change on the microbolometers response is also presented.

Linear HgCdTe IR FPA 288 × 4 with bidirectional scanning

Vasilyev V. V., Predein A. V., Varavin V. S., Mikhailov N. N., Dvoretsky S. A., Gumenjuk-Sichevska J. V., Golenkov A. G., Reva V. P., Sabinina I. V., Sidirov Y. V., Susliakov A. O., Sizov F. F., Aseev A. L.

Opto-Electronics Review

2010

Vol. 18, No. 3

332-337

The long wavelength (8-12 μm) IR FPA 288×4 based on a hybrid assembly of n+-p diode photosensitive arrays (PA) of HgCdTe (MCT) MBE-grown structures and time delay integration (TDI) readout integrated circuits (ROIC) with bidirectional scanning have been developed, fabricated, and investigated. The p-type MCT structures were obtained by thermal annealing of as-grown n-type material in inert atmosphere. The MCT photosensitive layer with the composition 0.20-0.23 of mole fraction of CdTe was surrounded by the wide gap layers to decrease the recombination rate and surface leakage current. The diode arrays were fabricated by planar implantation of boron ions into p-MCT. The typical dark currents were about 4-7 nA at the reverse bias voltage of 150 mV. The differential resistance R was up to R₀ = 1.6×10⁷ Ω zero bias voltage, which corresponded to R₀A ∼70 Ω •cm² and to the maximal value Rmax = 2.1 × 10⁸ Ω. The bidirectional TDI deselecting ROIC was developed and fabricated by 1.0-μm CMOS technology with two metallic and two polysilicon layers. The IR FPAs were free of defect channels and have the average values of responsivity Sλ = 2.27×10⁸ V/W, the detectivity Dλ * = 2.13 × 10¹¹ cm × Hz½ × W⁻¹, and the noise equivalent temperature difference NETD = 9 mK.