Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: III-V semiconductor

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Low-temperature growth of InAs/GaSb superlattices on miscut GaAs substrates for mid-wave infrared detectors

Martyniuk Piotr, Benyahia Djalal

Opto-Electronics Review

2023

Vol. 31, Special Issue

art. no. e144557

Short-period 10 monolayers InAs/10ML GaSb type-II superlattices have been deposited on a highly lattice-mismatched GaAs (001), 2° offcut towards <110> substrates by molecular beam epitaxy. This superlattice was designed for detection in the mid-wave infrared spectral region (cut-off wavelength, λcut-off = 5.4 μm at 300 K). The growth was performed at relatively low temperatures. The InAs/GaSb superlattices were grown on a GaSb buffer layer by an interfacial misfit array in order to relieve the strain due to the ~7.6% lattice-mismatch between the GaAs substrate and type-II superlattices. The X-ray characterisation reveals a good crystalline quality exhibiting full width at half maximum ~100 arcsec of the zero-order peak. Besides, the grown samples have been found to exhibit a change in the conductivity.

Optyczne właściwości supersieci GaAs/AlGaAs badane za pomocą spektroskopii modulacyjnej

Janiak F., Motyka M., Sęk G., Ryczko K., Misiewicz J., Kosiel K., Bugajski M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 10

46-48

Spektroskopię modulacyjną- fotoodbicie zastosowano do badania optycznych i strukturalnych właściwości supersieci AlGaAs/GaAs. Otrzymano widma fotoodbiciowe bogate w linie spektralne związane z procesami absorpcji między poszczególnymi stanami kwantowymi w badanych supersieciach. Zmierzone linie spektralne zidentyfikowane zostały na podstawie obliczeń struktury pasmowej w modelu masy efektywnej. Przeprowadzone pomiary pozwoliły potwierdzić założone w procesie wzrostu składy i grubości poszczególnych warstw studni i barier. Ponadto wykazano bardzo dużą jednorodność wytwarzanych 2-calowych płytek jak również wysoką powtarzalność procesów technologicznych.

Modulation spectroscopy - photoreflectance has been applied for optical investigation of AlGaAs/GaAs superlattices. Optical features obtained in photoreflectance spectra associated with the transitions between confined levels in investigated superlattices have been recognized and analyzed by calculation performed in effective mass approximation formalism. In addition, there has been demonstrated a high uniformity of investigated 2 inch wafers and also high repeatability of the growth process.