PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 4

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  IGBTs
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Wpływ wyboru parametru termoczułego na zmierzone wartości rezystancji termicznej tranzystora IGBT
Górecki Krzysztof, Górecki Piotr
Przegląd Elektrotechniczny
|
2020
|
R. 96, nr 12
106--109
PL
W pracy przeanalizowano problem doboru parametru termoczułego na wynik pomiaru rezystancji termicznej tranzystora IGBT. Przedstawiono metody wykonywania pomiaru rezystancji termicznej tego tranzystora przy wykorzystaniu w charakterze parametru termoczułego napięcia między bramką a emiterem lub napięcia na spolaryzowanej w kierunku przewodzenia diodzie antyrównoległej. Przedyskutowano czynniki wpływające na dokładność pomiaru realizowanego przy wykorzystaniu tych metod. Przedstawiono i przedyskutowano wyniki pomiarów rozważanych parametrów uzyskanych przy wykorzystaniu omawianych metod dla różnych warunków chłodzenia badanego tranzystora. Oceniono uzyskane rozbieżności między tymi wynikami pomiarów.
EN
In this paper the problem of the selection of the thermo-sensitive parameter on the result of the measurement of thermal resistance of the IGBT is analysed. Methods of the measurements of thermal resistance of this transistor using the voltage between the gate and the emitter or voltage on forward biased antiparallel diode as the thermo-sensitive parameters are presented. Factors influencing measuring error of the considered measurement methods are discussed. Measurement results of thermal resistance obtained with the use of considered methods for different cooling conditions of the tested transistor are presented and discussed. Obtained differences between these results of measurements are evaluated.
2
Content available Simple diagnostic technique of a single IGBT open-circuit faults for a SVM-VSI vector controlled induction motor drive
Orlowska-Kowalska T., Sobański P.
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
|
2015
|
Vol. 63, nr 1
281--288
EN
In this paper a simple diagnostic system for a single IGBT open-circuit faults for a two level voltage inverter-fed field oriented controlled induction motor drive was presented. A fault diagnostic procedure is carried out by utilizing an analysis of a stator current vector trajectory in α-β coordinates. An extraction of the failure information is based on monitoring of an angle between the stator current space vector and the axis. Thanks to a diagnostic signal normalization, high robustness to false diagnosis alarms is guaranteed. To confirm the proposed method, simulation results under a wide range working condition of the induction motor drive were presented.
3
Content available remote Metoda diagnostyki uszkodzenia typu przerwa łącznika IGBT falownika napięcia w układzie wektorowego sterowania silnikiem indukcyjnym
Sobański P., Orłowska-Kowalska T.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2013
|
R. 89, nr 6
159--163
PL
W artykule zaprezentowano wyniki badań symulacyjnych systemu diagnostyki uszkodzeń polegających na braku przewodzenia prądu przez jeden z łączników tranzystorowych IGBT dwupoziomowego falownika napięcia w napędzie indukcyjnym ze sterowaniem polowo zorientowanym. Metoda diagnostyki awarii została oparta na analizie przebiegu wektora prądu stojana w układzie współrzędnych zespolonych α-ß. Przedstawiono proste rozwiązanie sprzętowe proponowanej metody diagnostyki uszkodzenia łączników falownika napięcia.
EN
In this paper simulation results of a single IGBTs open circuit fault diagnostic system for a two level voltage inverter-fed field oriented controlled induction motor drive were presented. The fault diagnostic procedure is carried out utilizing an analysis of the stator current vector trajectory in α-ß coordinates. A simple implementation of the proposed diagnostic method has been presented.
4
Content available remote State of the art and developments of medium voltage converters - an overview
Bernet S.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2006
|
R. 82, nr 5
1-10
EN
This paper describes the function and basic characteristics of state of the art high power semiconductors with active turn-off capability. Furthermore it gives an overview about commercially available PWM medium voltage converters for drives. To derive specific converter characteristics Three Level-Neutral Point Clamped-Voltage Source Converters, Three Level-Flying Capacitor-Voltage Source Converters, Four Level-Flying Capacitor-Voltage Source Converters and Series Connected H-Bridge-Voltage Source Converters are compared for a 2.3kV and a 4.16kV drive. Finally recent technological developments and their applications in industry and energy systems are discussed.
PL
Artykuł opisuje podstawowe funkcje i właściwości półprzewodników wielkiej mocy z możliwością aktywnego wyłączenia. Ponadto przedstawiono przegląd dostępnych na rynku przekształtników PWM średniego napięcia stosowanych w układach napędowych. W celu uzyskania specyficznych właściwości przekształtników porównano trójpoziomowy przekształtnik napięcia z diodami poziomującymi, trójpoziomowy przekształtnik napięcia z kondensatorami poziomującymi, czteropoziomowy przekształtnik napięcia z kondensatorami poziomującymi oraz przekształtnik kaskadowy dla układów napędowych 2,3kV oraz 4,16kV. Następnie omówiono nowy rozwój technologiczny i zastosowanie tych przekształtników w przemyśle i systemach energetycznych.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.