Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Sterowniki wysokonapięciowych tranzystorów IGBT

Gawecka H., Januszewski S.

Wiadomości Elektrotechniczne

|

2003

|

R.LXXI, nr 3

96-98

PL

Przedstawiono wymagania stawiane sterownikom wysokonapięciowym (4,5 i 6,5 kV) tranzystorów IGBT. Zwrócono uwagę na niezbędny poziom napięć probierczych, zapewniających bezpieczeństwo użytkowania przekształtników zbudowanych z tych przyrządów. Omówiono zasady konstrukcji, monitorowania prawidłowości działania i układy zabezpieczeń sterowników IGBT.

EN

Requirements imposed on the controllers for high-voltage IGBT transistors (4,5 and 6,5 kV). Attention focused on the necessary level of testing voltages ensuring safety of using converters set up from these devices. Discussion of design principles, monitoring the correctnes of operation and protection systems of the a.m. controllers.

2

The dependence of power losses in D.C. traction drives on chopper frequency

Glinka T., Grzenik R.

Zeszyty Naukowe. Elektryka / Politechnika Łódzka

|

1998

|

z. 91

149--156

EN

The results of experimental research concerning the effect of a transistor chopper frequency on the power losses both in a chopper and in a motor. The experimental set consisted of the transistor chopper built of IGBT transistors and LTb 220, 40 kW, 300 V, 1800 rpm DC series motor.

PL

W artykule przedstawiono wyniki badań laboratoryjnych wpływu częstotliwości impulsowania łącznika tranzystorowego na straty mocy w łączniku i silniku. Badania przeprowadzono na rzeczywistym układzie napędowym tramwaju. Układ ten składał się z łącznika tranzystorowego zbudowanego w oparciu o tranzystory IGBT i silnik szeregowy prądu stałego LTb-220 V, 40 kW, 300 V, 1800 obr/min.

3

Laserowe wytwarzanie połączeń drutowych w tranzystorach mocy.

Pawlak R.

Prace Naukowe Instytutu Podstaw Elektrotechniki i Elektrotechnologii Politechniki Wrocławskiej. Konferencje

|

1998

|

Vol. 34, nr 10

291-294

PL

W pracy omówiono nową metodę wytwarzania wyprowadzen drutowych do struktur tranzystorów mocy. Jest ona szczególnie predestynowana do montażu wyprowadzen w tranzystorach IGBT, które nie mogą być wytwarzane jako 'large area device'. Nowa technologia to wysoce niezawodne, spawane laserem połączenie drutu do metalizacji struktury półprzewodnikowej. Ze względu na warunki termiczne połączenie spawane realizowane jest do płytki pośredniczącej, dołączonej do metalizacji inną metodą. Zaproponowano konfigurację połączenia spawanego oraz optymalny, z punktu widzenia nowej technologii, dobór materiałów na elementy połączenia. Przedyskutowano technologiczne aspekty wytwarzania połączeń wykonanych do półprzewodnikowych struktur testowych. Przeprowadzono badania metalograficzne.

EN

In the paper a new method for producing wire terminals from power transistor structures has been presented. The method is particularly useful for the assembly of terminals in IGBT transistors, which cannot be produced as large area devices. The new technology is highly reliable, laser-welded wire connection to the metallization of the semiconductor structure. In consideration of thermal conditions, the welding joint is made to the intermediate metallic plate bonded to the metallization by a different method. A configuration of the welding joint and an optimal - from the view point of new technology - selection of materials for the welding elements have been proposed. Technological aspects of producing connections made to the test semiconductor structures have been discussed. Metallographic investigations have been made. The first results of investigations have also been presented.