Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Complex fourier series mathematical model of a universal motor supplied by an IGBT transistor

Záskalický P., Kaňuch J.

Maszyny Elektryczne : zeszyty problemowe

|

2012

|

Nr 1(94)

33-37

EN

The present contribution shows an analytical method of the calculus of the torque ripple and current waveforms of a universal motor supplied by an IGBT chopper. The chopper output voltage waveform is formulated by the Fourier series. The armature reaction of the motor is included in the calculus. The motor performance is computed using the circuit parameters determined by measurements. The calculated current waveforms are compared with the measured ones.

2

Najnowsza generacja tranzystorów IGBT produkcji Mitsubishi

Gajda J., Jaszewski K.

Elektro Info

|

2003

|

nr 6

40--43

PL

Mitsubishi Electric jako jeden z przodujących producentów tranzystorów IGBT, na przełomie maja i czerwca 2003 r., zaprezentował następną generację chipów IGBT - CSTBT (Carrier Stored Trench Gate Bipolar Transistor).

3

Przełączanie tranzystorów IGBT w podstawowych układach sterowania i obciążenia

Pawelski W.

Elektronika : prace naukowe

|

2002

|

nr 7

95-119

PL

W artykule przedstawiono problematykę przełączania łącznika tranzystorowego IGBT w obwodach obciążenia rezystancyjnych, indukcyjnych (RL) oraz indukcyjnych z diodą rozładowującą (RLD) z uwzględnieniem zróżnicowanych warunków sterowania. Zwrócono szczególną uwagą na oddziaływanie zwrotne obwodu obciążenia na obwód sterowania, które jest szczególnie wyraźne w tego rodzaju łącznikach. Właściwości te zostały zilustrowane symulacjami z zastosowaniem nowego modelu IGBT, opracowanego przez autora. Zamieszczone symulacje potwierdzają przydatność tego modelu, implementowanego w symulatorach środowiska SPICE, do badania i projektowania złożonych układów elektronicznych mocy z tranzystorami IGBT.

EN

The influence of the parameters of direct gate control circuit on the propriety and switching parameters in load circuits of various characters are analysis and described. It is a question of influencing of control on the parameters in steady states and switching waveforms of the IGBT as a switch. They decided about switching times, power losses, overvoltages and result about the maximum loading capacity of that device in evidence condition of the work. The analysis and simulations including in this work can be the base to determine of the designation methods of the IGBT gate circuit. The selection of parameters of that circuit give for designer the valuable chance of the aware and active influence on the switching processes in power electronic circuits. In particular it affect of the switching speed and connected with him the great rate of slope of the currents and voltages in load circuit. New circuit-oriented IGBT transistor model has been used in this work for perform simulation analysis. For its application in this role enable its experimentally verified good accuracy of fit of the real characteristic and waveforms.

4

Analiza porównawcza właściwości modeli tranzystorów IGBT w symulatorach środowiska SPICE

Pawelski W.

Elektronika : prace naukowe

|

2000

|

nr 5

87-117

PL

Przedmiotem niniejszej pracy są ukladowo-zorientowane modele tranzystorów IGBT w szczególności przeznaczone do implementacji w środowisku SPICE - uniwersalnych symulatorów układów elektronicznych. Przedstawiono trzy różne makromodele IGBT zawarte w bibliotekach najnowszych wersji SPICE'a a także zaproponowano nowy nieliniowy model tego tranzystora. Zamieszczono wyniki badań porównawczych podstawowych właściwości statycznych i dynamicznych wszystkich czterech modeli.

EN

The IGBT transistor models for power electronic circuits design are the object of studies in presented paper. Such models should be sufficiently simple for calculation, parameters extraction and results interpretation. Generally for the circuit-oriented IGBT model appreciate the relation of fitting error to number parameters can be used. This coefficient should be evidently a minimum value. Great number physical and dimensional parameters of the physic-based models are difficult to be extracted from electrical measurement without knowing the details of device structure and fabrication data and they can't perform of this demands. Using the IGBT macromodel basing on BJT and MOSFET submodels in pseudo Darlington configuration it can obtain better results. In presented paper the properties of three IGBT models used in SPICE environment simulator and new universal IGBT model proposed to these packets are compared. In paper the investigation results of the static characteristic and some dynamic state waveforms for all four models are presented and discussed. While comparing the four different models it has been noted that the adaptation of simple level=l or level=3 SPICE MOSFET submodel does not give a satisfactory fitting of the real IGBT characteristics in the triode range, despite relative accordance to the measurements in the pentode range. It has been particularly evident in the transfer static characteristics. It has been proved that it is possible to fit precisely the IGBT on-state also in the triode range, applying a new nonlinear function, proposed in this paper in one of submodel. The investigations of this new model have shown a very good agreement between the simulation and measurements and average fitting errors order 2 %. This approach also enables the modelling of the two basic types of the IGBT structures, both symmetric and asymmetric, without the changing of the numbers of parameters.