Za pomocą oprogramowania Silvaco Atlas, na podstawie dostępnych parametrów materiałowych, dokonano symulacji charakterystyk statycznych tranzystorów MOS na podłożu z dwóch heksagonalnych odmian węglika krzemu: 4H oraz 6H.
EN
Static l-V characteristics of 4H- and 6H- MOSFETs (based on available silicon carbide material properties) were simulated using Silvaco Atlas software.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.