HgCdTe infrared detectors have been intensively developed over the past forty years since the first synthesis of this compound semiconductor in 1958. Today, HgCdTe is the most widely used infrared detector material. This paper reviews key developments in the crystal growth and device history of this important technology. Projections and challenges for the continued evolution of this technology are summarized
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.