Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: Hartree approximation

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

3D self-consistent solution of Poisson and Schrödinger equations for electrostatically formed quantum dot

Machowska-Podsiadło E., Mączka M., Bugajski M.

Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences

2007

Vol. 55, nr 2

245-249

In this work we discuss 3D selfconsistent solution of Poisson and Schrodinger equations for electrostatically formed quantum dot. 3D simulations give detailed insight into the energy spectrum of the device and allow us to find values of respective voltages ensuring given number of electrons in the dot. We performed calculations for fully 3D potential and apart from that calculations for the same potential separated into two independent parts, i.e. re-garding to the plane of 2DEG and to the direction perpendicular to the meant plane. We found that calculations done for the two independent parts of the potential give good information about quantum dat properties and they are much faster compared to fully 3D simulations.

Stany elektronowe w tranzystorze jednoelektronowym formowanym w heterostrukturze GaAs/AlxGa1-xAs

Małachowska-Podsiadło E., Mączka M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2005

Vol. 46, nr 2-3

48-49

Opisano stany elektronowe tranzystora jednoelektronowego (SET), formowanego w heterostrukturze GaAs/AlxGa1-xAs. Stany elektronowe są samouzgodnionymi rozwiązaniami równania Schrodingera w przybliżeniu Hartree. Rozkład potencjału w tranzystorze jest rozwiązaniem równania Poissona, dla danego zestawu napięć polaryzujących strukturę.

In the work we present electron states of a single electron transistor (SET) formed in GaAs/AlxGa1-xAs heterostructure. Electron states are selfconsistent solutions of Schrodinger equation, written within Hartree approximation. Potential distribution through the transistor is the solution of Poisson equation, for a given set of voltages, biasing the structure.