Omówiono schematy zastępcze hallotronu jako czterokońcówkowego elementu (47) obwodu i jako czwórnika odwzorowujące jego parametry wynikające ze zjawiska podstawowego, niedoskonałości hallotronu i zjawisk pasożytniczych. Podano impedancyjny układ równań hallotronu jako czwórnika, wyznaczono jego macierz admitancyjną i współczynniki rozwinięcia w szereg względem pola magnetycznego B dla trzech podstawowych parametrów układu hallotronowego, tj.: czułości oraz rezystancji wejściowej i wyjściowej, w słabych oraz silnych polach magnetycznych. Zamieszczono podsumowanie i literaturę.
EN
Equivaient schemes of Hali effect sensor as four terminal (47) circuit element and as twoport are discussed. Its parameters resuited from basie and parasitic effects and imperfeetions of Hall devices and impedance set of its twoport equations are given. Equations of power series coefficients to the induction B ofthree main parameters of Hall circuit, i.e. its voltage to current sensitivity and input and output resistances are found for week and strong magnetic field. Summary and literature is included.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.