Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: HFET

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Komputerowe modelowanie przyrządów opartych na heterostrukturze AIGaN/GaN/Al2O3

Pasecki T., Kośnikowski W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2005

Vol. 46, nr 2-3

50-51

Modelowano tranzystor HFET oparty na heterostrukturze AlGaN/GaN/AI₂O₃ z uwzględnieniem wpływu polaryzacji spontanicznej i piezoelektrycznej w naprężonej warstwie AlGaN. Polaryzacja warstwy AIGaN pozwala na konstruowanie niedomieszkowanych HFET. Badano wpływ polarności warstw na działanie przyrządu. Jedynie wartswy o polarności galowej okazały się przydatne do konstrukcji HFET. Uwzględniono specjalne metody obniżania koncentracji elektronów.

HFET based on AlGaN/GaN/AI₂O₃ heterostructure have been modelled. Influence of spontaneous and piezoelectric polarisation effect in strained AlGaN layer was included in modelled structures. Polarisation of AlGaN layer allows building undoped HFET. Influence of AIII-N layers polarity on device performance was modelled. Only Ga-face structures appeared suitable for HFET construction. Models took into account special methods of lowering intrinsic electron concentration as it is crucial for proper device performance.

Design of a GaN UV integrated photoreceiver

Wiatrowski A., Boratyński B.

Opto-Electronics Review

2004

Vol. 12, No. 1

165--168

A design of the structure of an integrated GaN photoreceiver for the UV range is presented. The circuit includes an MSM photodetector and an HFET based amplifier. Preliminary data for the design were obtained from the measurements performed on the test structures - CTLM, van der Pauw, Schottky contacts and also performed on discrete devices - MSM detectors, HFET transistors - all fabricated on AlGaN/GaN/sapphire substrates. Frequency response characteristics of the HFET based amplifier and also of the complete MSM-HFET photoreceiverwere computer-simulated. One of the most important steps in device monolithic integration is isolation of the elements. In this project were considered two types of possible elements isolation: plasma etch (mesa) and implant isolation. A set of photolithography masks for chip fabrication on AlGaN/GaN layers was created. Anticipated fabrication of the designed MSM-HFET integrated photoreceiver in 1-um geometry should allow its RF operation.