Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Montaż struktur AlGaN/GaN na Si do podłoży DBC w oparciu o technologię SLID oraz zgrzewania dyfuzyjnego mikroproszkiem Ag

Kisiel Ryszard, Sochacki Mariusz, Taube Andrzej, Guziewicz Marek

Przegląd Elektrotechniczny

|

2019

|

R. 95, nr 11

5--7

PL

Wykonano i zbadano układy połączeń chipów tranzystora HEMT AlGaN/GaN/(111)Si, metalizowanych warstwami montażowymi Cu, Ag lub Au, z podłożami DBC wykorzystując technologię SLID oraz technologię zgrzewania mikroproszkiem Ag. Siły adhezji połączeń chipów, w których zastosowano pośrednią galwaniczną warstwę (1 m)Sn, dobraną siłę nacisku, temperaturę 280oC i czas 30 min. dla procesu spiekania, są powyżej 22 MPa. Połączenie chipu ze spodnią metalizacją Ag zgrzewane z DBC poprzez mikroproszek Ag cechuje siła adhezji powyżej 22 MPa.

XX

The connection systems of AlGaN/GaN on (111)Si chip metallized with Cu, Ag or Au (mounting layers) were preformed to DBC plates using Solid Liquid phase Interdiffusion (SLID) technology and Ag sintering bonding, and the systems were verified. The chip adhesion forces for DBC samples with intermediate galvanic (1 m)Sn layer, and the load force matched to the chip size, temperature of 280oC and time of 30 min. for the sintering process, are above 22 MPa. Ag sintering bonding of the chip with backside Ag metallization to DBC substrate is exceeding 22 MPa.

2

Zastosowanie tranzystorów HEMT z azotku galu w impulsowych przekształtnikach mocy

Janke W.

Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej

|

2016

|

Nr 9

5--27

PL

Praca zawiera przegląd problematyki zastosowań tranzystorów HEMT (high electron mobility transistors) w wysokosprawnych układach przekształtników mocy. Wymieniono najważniejsze wymagania stawiane elementom półprzewodnikowym we współczesnych przekształtnikach energoelektronicznych. Przedstawiono główne cechy heterostruktur GaN-GaAlN i tranzystorów opartych na takich strukturach. Przedyskutowano różne rozwiązania konstrukcyjno-technologiczne struktur HEMT o cechach tranzystora normalnie wyłączonego (pracującego ze wzbogaceniem). Pokazano przykładowe parametry tranzystorów HEMT pracujących dla energoelektroniki. Omówiono także wybrane rozwiązania impulsowych przekształtników BUCK i BOOST oparte na tranzystorach HEMT i ich główne właściwości.

EN

The applications of gallium nitride (GaN) high electron mobility transistors (HEMT) in modern power converters are reviewed. Basic demands for semiconductor devices used in switch-mode high efficiency power converters are summarized. Specific features of GaN-GaAlN heterostructure and HEMT’s are briefly described. Different solutions of enhancement-mode HEMT applicable in power converters of resulting parameters of HEMT-based enhancement-mode transistors are given. The exemplary power converters based on GaN HEMT’s, including BUCK and BOOST circuits are presented and their features discussed.

3

Antena UHF na bazie grafenu dla znacznika RFID

Kopyt P., Salski B., Gwarek W., Olszewska-Placha M., Janczak D., Słoma M., Jakubowska M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2015

|

Vol. 56, nr 10

50-52

PL

W artykule opisano projekt oraz przedstawiono wyniki pomiarów znacznika RFID zbudowanego z czipu działającego w paśmie UHF, zgodnie z normą EPC Class 1 Gen. 2 oraz dipola wydrukowanego pastą przewodzącą domieszkowaną grafenem. Wytworzono kilka znaczników, które następnie przetestowano wykorzystując standardowy czytnik RFID. Stwierdzono, że każdy ze znaczników jest w pełni sprawny, ale maksymalny zasięg odczytu układów opartych na antenach grafenowych jest znacznie mniejszy niż dla znaczników z antenami miedzianymi. Efekt ten można przypisać zwiększonej rezystywności warstwy grafenu. Wydaje się jednak, że w wypadku zastosowań, w których zasięg odczytu nie jest najważniejszy, zaprojektowana antena może być alternatywą dla droższych obwodów drukowanych wykonywanych z past wytwarzanych na bazie srebra.

EN

This paper describes design and measurements of a RFID tag built of a graphene-based dipole antenna and a chip operating in the UHF band in accordance with the EPC Global Class 1 Gen. 2 standard. Several tags have been constructed and tested with a standard RFID reader to reveal that each one is fully operational, but the interrogation range for the graphene-based circuits has been limited in comparison to copper antennae. This can be attributed to increased sheet resistance of a graphene layer. However, it seems that for applications were the read range is not crucial the novel antenna can be an alternative to more expensive circuits printed with silver-based inks.

4

Termiczny model tranzystora HEMT na podłożu GaN/SiC

Kopyt P., Wojtasiak W., Gryglewski D., Gwarek W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2013

|

Vol. 54, nr 9

22-25

PL

W artykule przedstawiono 3-wymiarową analizę termiczną tranzystora GaN HEMT na podłożu GaN/SiC wytworzonego w ITE. Symulacje przeprowadzono w środowisku ANSYS-Fluent z zewnętrznym generatorem siatki obliczeniowej. W analizie uwzględniono warstwową strukturę podłoża i zależność własności materiałowych poszczególnych warstw od temperatury. Opracowanego modelu użyto do wyznaczenia rezystancji | termicznej tranzystora na podłożu SiC i GaN (monokrystaliczny) o różnych grubościach.

EN

In this paper a 3-dimensional numerical model of a HEMT structure fabricated on GN/SiC substrate is presented. The model is implemented in the ANSYS-Fluent environment using an external computational mesh generator. The tools have been verified by comparing results obtained with numerical calculations and a known solution of a simple thermal problem. Next, the model of the HEMT has been employed to numerically evaluate the thermal resistance of the structure for two different substrate materials of varying thickness. It will be used as a tool in an effort to scale-up devices manufactured by ITE towards higher output power levels.