Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: GalnAs/GaAs QW

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Modelowanie i optymalizacja antymonkowych laserów typu VCSEL

Piskorski Ł., Walczak J., Dems M., Beling P., Sarzała R.. P.

Przegląd Elektrotechniczny

2015

R. 91, nr 9

150-153

W niniejszej pracy zaprezentowano wyniki komputerowej symulacji progowej pracy antymonkowego lasera o emisji powierzchniowej z pionową wnęką rezonansową z wykorzystaniem samouzgodnionego modelu lasera opisującego zjawiska elektryczne, termiczne, rekombinacyjne i optyczne. Obliczenia wykonano dla struktury dostosowanej do emisji promieniowania o długości fali 2,6 μm. Pokazane zostały zalety wprowadzenia ograniczenia dla rozpływu prądu w postaci złącza tunelowego oraz zbadano wpływ przesunięcia warstw powstałego na skutek jego wytworzenia na ograniczanie wzbudzania się modów wyższego rzędu. Zmniejszanie przesunięcia, o wartości początkowej wynoszącej 55 nm, o 35 nm spowodowało wzrost strat dla modów LP11 i LP21 odpowiednio 7 i 25 razy przy wzroście prądu progowego jedynie o 10%. Dalsza redukcja przesunięcia przyczynia się do wyraźnego wzrostu prądu progowego: 20% dla 40 nm oraz 50% dla 45 nm.

In this work results of the threshold operation of antimonide-based vertical-cavity surface-emitting laser have been presented with the aid of the comprehensive fully self-consistent optical-electrical-thermal-recombination numerical model. Calculations have been carried out for the structure emitting at 2.6 μm. The advantages of incorporating the tunnel junction for current confinement have been shown and the influence of a layer shift caused by presence of the tunnel junction on the mode selectivity has been examined. It was shown that reducing the layer shift, with initial height equal to 55 nm, by the 35 nm leads to 7 and 25 times higher mode losses for LP11 and LP21 modes, respectively, and only 10% higher threshold current for the LP01 mode. Further reduction of the layer shift leads to high increment of the threshold current value: 20% for 40 nm reduction and 50% for 45 nm one.

Physical analysis of an operation of GalnAs/GaAs quantum-well vertical-cavity surface-emitting diode lasers emitting in the 1.3-žm wavelength range

Sarzała R. P.

Optica Applicata

2005

Vol. 35, nr 2

225-240

Comprehensive three-dimensional self-consistent optical-electrical-thermal-gain physical modelling is used to simulate room-temperature continuous-wave performance characteristics of GalnAs/GaAs lasers emitting in the 1.3žm wavelength range. The simulation takes into consideration all physical phenomena crucial for a laser operation including all important interactions between them. A real possibility to design high-performance 1.26-žm GalnAs/GaAs quantum-well vertical-cavity surface-emitting diode lasers (VCSELs) with the aid of a currently available technology is shown. Their outputs are much higher than in the case of their quantum-dot version. Methods to shift the emitting wavelength range of 1.3 žm are discussed and anticipated performance characteristics of such a 1.3žm VCSELs are determined.