Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2010

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: GaN crystal

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Właściwości akustycznych fal powierzchniowych w płaszczyźnie Z kryształu GaN

Soluch W., Łysakowska M., Brzozowski E.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2010

Vol. 51, nr 12

117-118

Przedstawiono wyniki obliczeń i pomiarów właściwości akustycznych fal powierzchniowych (AFP) w płaszczyźnie Z półizolacyjnego kryształu GaN. Z porównania zmierzonej i obliczonej charakterystyki amplitudowej linii opóźniającej uzyskano prędkość 3845 m/s i współczynnik sprzężenia elektromechanicznego 0,25%. Temperaturowy współczynnik częstotliwości, wyznaczony z pomiarów w zakresie temperatur -20...80º C, wynosi około -23 ·10 ⁻⁶/ºC.

Results of calculations and measurements of surface acoustic wave (SAW) properties in the Z plane of semiinsulating GaN crystal are presented. By matching the measured and calculated amplitude responses of a delay line, a velocity and an electromechanical coupling coefficient of about 3845 m/s and 0.25%, respectively, were obtained. A temperature coefficient of frequency (TCF), measured in the temperature range from -20...80ºC, is about -23 ppm/ºC.