Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: GaN LEDs

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

280 nm UV LEDs grown on HVPE GAN substrates

Yasan A., McClintock R., Mayes K., Darvish S. R., Kung P., Razeghi M., Molnar R. J.

Opto-Electronics Review

2002

Vol. 10, No. 4

287-289

We report on the enhancement of optical and electrical properties of 280 nm UV LEDs using low dislocation density HVPE- grown GaN substrate. Compared with the same structure grown on sapphire, these LEDs show ~30% reduction in current - voltage differential resistance, ~15% reduction in turn-on voltage, more than 200% increase in output power slope efficiency and saturation at higher currents. Lower density of defects due to higher material quality and better heat dissipation are believed to be the reason behind these improvements.

Atomic layer epitaxy of ZnO for applications in molecular beam epitaxy growth of GaN and InGaN

Godlewski M., Szczerbakow A., Ivanov V. Y., Barski A., Goldys E. M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2000

Vol. 41, nr 11

49-52

We report the successful atomic layer epitaxy growth of thin ZnO films and their use as aubstrates for GaN and InGaN epitaxy. The properties of ZnO epilayers, obtained by four different procedures, are analysed, as well, as of GaN and InGaN films grown on ZnO-coated Si and GaAs by MBE.

Struktury kwantowe na bazie GaN sa obecnie stosowane do produkcji wydajnych diod elektroluminescencyjnych (LED) na kolor fioletowy-do-bursztynowego oraz diod laserowych na kolor niebieski. Ma to miejsce pomimo że gęstości dyslokacji w materiałach użytych do produkcji diod sa nadal bardzo wysokie. Te wysokie gęstości dyslokacji, niekorzystne z punktu widzenia mozliwych zastosowań GaN zarówno w optoelektronice, jak i w elektronice, wynikają z braku podłóż o stałych sieciowych dopasowanych do GaN. Większość z obecnie produkowanych diod LED i laserowych konstruowana jest na GaN wzrastanym na silnie niedopasowanym sieciowo szafirze. Lite kryształy GaN dostępne są jedynie w niewielkich ilościach i technologia ich otrzymania jest bardzo skomplikowana. W pierwszej części pracy dyskutowany jest wpływ dyslokacji na procesy rekombinacji promienistej w GaN oraz w strukturach kwantowych na bazie tego materiału. Wykazana jest kluczowa rola procesorów lokalizacji nośników. Silna lokalizacja nośników powoduje, że istnieje ograniczona szansa dotarcia do dyslokacji i rekombinacji niepromienistej. Wykazana jest także bezpośrednia relacja pomiędzy mikrostrukturą warstw GaN i wydajnością oraz jednorodnością procesów emisji światła. W drugiej części pracy omawiamy możliwości użycia płytek krzemu i arsenku galu pokrytych cienkimi warstwami ZnO jako altrnatywnych podłóż do wzrostu warstw GaN. Dyskutujemy najpierw metody otrzymania warstw ZnO z wykorzystaniem nowej metody epitaksjalnej - epitaksji warstw atomowych w fazie gazowej. Następnie dyskutowane są własności warstw GaN i ich stopów otrzymanych metodą MBE na polikrystalicznych podłożach ZnO. Przedstawione są wyniki prac doświadczalnych wykazujących dobre własności spektralne tak przygotowanych warstw GaN.