PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 5

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  GaN HEMT
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
A S-band Inverted 3-way Doherty amplifier with GaN HEMT transistors
Góralczyk Marcin
Przegląd Telekomunikacyjny + Wiadomości Telekomunikacyjne
|
2021
|
nr 4
97--101
EN
This article presents partial result of the PhD thesis on the topic of the Doherty power amplifiers. The design of high-efficiency 3way Doherty amplifier with the use of Wolfspeed CG2H40010 transistors is presented. A newly invented 3-way power splitter architecture is also shown. The proposed splitter and the properties of GaN HEMT technology enable the design of the Inverted 3-way Doherty amplifier in closed, compact form without additional, long phase lines. The amplifier operates in the frequency range from 3.4 to 3.8 GHz and achieves up to 46W of saturated output power with a drain efficiency of 75% at full drive and 53% at 10dB output power back-off.
PL
Przedstawiono częściowe wyniki pracy doktorskiej na temat mikrofalowych wzmacniaczy mocy typu Doherty. Zaprezentowano projekt wysokosprawnego trójdrożnego wzmacniacza typu Doherty z tranzystorami Wolfspeed CG2H40010. Ponadto przedstawiono unikalną konstrukcję trójdrożnego dzielnika mocy, która umożliwiła zaprojektowanie trójdrożnego wzmacniacza typu Doherty w konfiguracji odwróconej. Przedstawiony wzmacniacz charakteryzuje się zwartą konstrukcją, która nie wymaga dodatkowych linii fazowych, co umożliwia poszerzenie pasma pracy. Układ pracuje w paśmie telekomunikacyjnym 3,4 – 3,8 GHz i osiąga w nasyceniu 46 W mocy przy sprawności drenowej 75%. Dla sygnałów o mocy wyjściowej niższej o 10 dB względem nasycenia wzmacniacz uzyskuje sprawność 53%.
2
Content available remote Trójpoziomowy przekształtnik podwyższający napięcie z obwodem quasi-impedancyjnym i tranzystorami GaN HEMT
Zięba Dawid, Rąbkowski Jacek
Przegląd Elektrotechniczny
|
2020
|
R. 96, nr 7
103--106
PL
W artykule przedstawiono zasadę działania, badania symulacyjne oraz wyniki badań eksperymentalnych trójpoziomowego przekształtnika podwyższającego napięcie z obwodem quasi-impedancyjnym zbudowanego z wykorzystaniem tranzystorów z azotku galu (GaN) HEMT. Dzięki temu układ pracuje z częstotliwością 250 kHz, co więcej, charakteryzuje się bardzo wysokim współczynnikiem wzmocnienia – wejściowe napięcie o amplitudzie 50V podnosi do napięcia powyżej 750V.
EN
The paper presents principles of operation, results of simulations and experimental study of three-level DC-DC boost converter with quasiZ source network based on GaN HEMT transistors. Due to this feature the converter is switching at 250 kHz, moreover, shows very high voltage gain – input voltage of 50V is boosted above 750V.
3
Content available Predictive current control of three-phase matrix converter with GaN HEMT bidirectional switches
Nowaszewski K., Sikorski A.
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
|
2020
|
Vol. 68, nr 5
1077--1085
EN
This paper presents an analysis and simulation studies of three-phase matrix converter with GaN HEMT bidirectional switches with predictive control of grid currents and converter output currents. Two methods of grid currents shaping are described and compared. The first method is based on calculations of instantaneous grid reactive power and the second one uses the active power of the load. The analyzed converter works with the resistive-inductive load, and from the grid side the LC filter with damping resistor has been used.
4
Stan technologii mikrofalowych elementów z azotku galu
Góralczyk M., Gryglewski D.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2018
|
Vol. 59, nr 1
20--23
PL
W referacie przedstawiono parametry mikrofalowych tranzystorów i układów scalonych z azotku galu wytwarzanych przez wiodących producentów. Możliwości aplikacji tranzystorów GaN HEMT w postaci chipów oraz w obudowach zaprezentowano na przykładach skonstruowanych wzmacniaczy o mocy wyjściowej 250 W CW na pasmo ISM2.45 GHz dla systemów grzania mikrofalowego. Dla porównania przedstawiono wzmacniacz o podobnych parametrach, ale wykonany przy użyciu tranzystorów Si LDMOSFET. Jednym z istotnych zagadnień jest wykorzystanie tranzystorów GaN HEMT do budowy wzmacniaczy niskoszumnych (LNA) na tyle odpornych, aby można było zrezygnować z ogranicznika standardowo umieszczanego na wejściu toru odbiorczego modułu N/O radarów z elektronicznie sterowaną wiązką (AESA). Dlatego zaprojektowano wzmacniacz LNA z tranzystorem GaN HEMT, którego parametry są następujące: współczynnik szumów F≤2.1 dB i wzmocnienie G≥11dB w pasmie 9÷10 GHz przy odporności na sygnały niepożądane o mocy ponad 42 dBm.
EN
In the paper the parameters of microwave GaN HEMT transistors and monolithic integrated circuits (MMIC) fabricated by leading global foundries are presented. As examples of applications the GaN HEMT chips and in packages were used to design 250 W(CW) ISM2.45GHz band amplifiers for microwave heating. For comparison the 250 W amplifier with Si LDMOSFET was also designed. The GaN components have the future in T/R modules of active electronically scanned array AESA both in a receive part and transmit part. Therefore X-band low noise amplifier (LNA) with GaN HEMT was designed. The LNA parameters are as follow: noise figure F≤2.1dB, gain G≥11dB over a 9 to 10 GHz frequency range and the robust for high input power is better than 42dBm. It can thus dispense with limiter which is located at the input receive part of T/R module.
5
Perspektywy wytwarzania zintegrowanych modułów N/O z wykorzystaniem krajowej technologii GaN HEMT
Wojtasiak W., Gwarek W.
Przegląd Telekomunikacyjny + Wiadomości Telekomunikacyjne
|
2015
|
nr 6
639--643
PL
Polski przemysł radiolokacyjny stoi przed wyzwaniem dotyczącym zasadniczej zmiany technologii. Dla utrzymania konkurencyjności nie tylko na rynku międzynarodowym, ale również krajowym, konieczny jest skok technologiczny co najmniej o dwie generacje. Istnieje potrzeba wdrożenia technologii dla wykonania zasadniczych elementów w formie monolitycznych układów scalonych. Przedstawiono kierunki światowe w produkcji modutów nadawczo-odbiorczych do zastosowań radiolokacyjnych, postępy prac nad krajową technologią GaN HEMT na monokrystalicznym podłożu GaN oraz perspektywy własnej produkcji modułów N/O o możliwie maksymalnej skali integracji.
EN
Polish radar industry is facing a challenge of decisive change of technology. For maintaining its competitiveness not only at the international market but also at the national market it needs a disruptive change of technology by two generations. It will not be sufficient just to switch to semiconductor radars based on lumped active elements. The key elements must be manufactured in monolithic technologies. That kind of approach is nów morę realistic on the base of currently widely conducted research on GaN HEMT technologies on various substrates: sapphire, SiC and monolithic GaN. In the paper the intemational trends in the technology of T/R modules for radar application have been discussed. Some new research achievements in the area of GaN HEMT technology on monolithic GaN substrates have been presented. The possibilities of local production of T/R modules with highly advanced level of integration have been outlined.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.