PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  GaN FET
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Niskonapięciowy prostownik synchroniczny z wykorzystaniem nowoczesnych tranzystorów GaN
Swadowski M., Zygoń K., Jąderko A.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2017
|
R. 93, nr 1
205--208
PL
W artykule opisano przykład zastosowania nowoczesnych tranzystorów z azotku galu do wykonania prostownika synchronicznego w rezonansowym zasilaczu impulsowym. Przedstawiono zalety nowoczesnych tranzystorów GaN w porównaniu do tranzystorów MOSFET oraz diod Schottky’ego. Zredukowano straty wynikające z przewodzenia oraz straty przełączeniowe.
EN
Modern transistors made with gallium nitride in the application of synchronous rectifier in resonant switching mode power supply are described in this paper. Advantages of modern GaN transistors in comparison to the MOSFETs and Schottky diodes are shown. Conduction and switching power losses are significantly reduced.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.