Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: GaN/AlGaN

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Monolityczny mikrofalowy układ scalony GaN/AlGaN

Dobrzański L., Caban P., Kowalik A., Podgórski J., Rudziński M., Góra K., Jagoda A., Stańczyk B., Wojnowski D., Kozłowski A., Przyborowska K., Lewandowski A., Wiatr W., Paszkiewicz R.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2015

Vol. 56, nr 6

6-9

Przedstawiamy opracowanie przyrządów HEMT (High Electron Mobility Transistors) z GaN/AlGaN, a następnie pierwszego w Polsce monolitycznego mikrofalowego układu scalonego, w którym zastosowano przyrządy HEMT z GaN/AlGaN. Opracowanie przyrządów HEMT. Sekwencja warstw epitaksjalnych tworzących strukturę tranzystora była następująca: bufor AlN, kanał GaN, warstwa Schottky’ego AlGaN oraz warstwa podkontaktowa GaN. Strukturę wyhodowano na podłożu szafirowym. Wzór izolacji oraz wzór obszarów drenów i źródeł uzyskano metodą litografii optycznej. Wzór bramki o długości 500 nm i 440 nm otrzymano metodą bezpośredniej elektronolitografii na powierzchni półprzewodnika. Izolację przyrządów uzyskano przez wytrawienie obszaru ‘mesa’ w plaźmie chlorowej. Metalizacja kontaktów tworzyła struktura wielowarstwowa Ti/Al/Ni/Au. Powierzchnię kanału zabezpieczono przez nałożenie warstwy pasywującej Si3N4. Wzmocnienie tranzystorów w pasmie S i X wynosiło odpowiednio 16 i 11 dB (MSG/MAG Maximum Stable Gain). W najlepszym z kilku opisanych wariantów konstrukcyjnych i technologicznych uzyskano częstotliwość graniczną fT = 30 GHz, częstotliwość graniczną fMAX = 30 GHz. Ponadto stwierdzono, że unilateralne wzmocnienie mocy (UPG) równa się jeden dla częstotliwości ok. 30 GHz. Uzysk wynosił 70% co odpowiada 3000 dobrych przyrządów z płytki o średnicy 2”. Opracowanie mikrofalowego monolitycznego układu scalonego (MMIC).Opracowano pierwszy w Polsce mikrofalowy monolityczny układ scalony (MMIC), klucz typu SPDT (Single Pole Double Throw) stosowany zazwyczaj w układach transciever’ów (klucz nadawanie-odbiór). Układ zbudowany jest z czterech tranzystorów HEMT o szerokości bram μm. W paśmie 0-4 GHz straty wtrącenia są mniejsze niż 2 dB, a izolacja lepsza niż 23 dB. Wykazano, że po zmianie konstrukcji układu i stosując tę samą technologię można uzyskać straty wtrącenia mniejsze niż 1 dB. Przedstawiony układ MMIC jest demonstratorem technologii, przy pomocy której można wykonać układy scalone o parametrach na poziomie komercyjnym.

We present the development of HEMT (High Electron Mobility Transistors) and MMIC (Microwave Monolithic Integrated Circuit) made of GaN/AlGaN. Development of HEMTs. The sequence of epitaxial layers grown on sapphire substrate was as follows: AlN buffer, GaN channel, AlGaN Schottky and GaN contact cap. Isolation pattern and ohmic metal pattern were obtained by optical lithography. The gate was 500 nm and 440 nm long and was written using e-beam directly on semiconductor wafer. Then gate metal was evaporated and lifted off. The isolation was obtained by mesa etching in pure chlorine plasma. Ohmic contact consisted of a Ti/Al/Ni/Au sandwich. Finally Si3N4 passivation was made to protect exposed channel surface. Transistors operate in S and X band, showing 16 and 10 dB MSG/MAG gain respectively. For the best layout design transistors exhibited frequency fT=30 GHz, frequency fMAX = 30 GHz, and exhibited UPG=1 (unilateral power gain) for frequency 30 GHz. The yield was 70%, what corresponds to about 3000 good devices form one 2” wafer. Development of monolithic microwave integrated circuit (MMIC). We developed transistor switch of SPDT (Single Pole Double Throw) type which is used in transceivers. The circuit consists of four HEMT devices having gate width of 150 μm, gate length of 440 nm and drain source distance of 3 μm. In the 0-4 GHz bandwidth insertion loss is less than 2 dB and isolation is better than 23 dB. It was demonstrated that increase of the gate width of transistors will improve insertion loss value to the level of 1 dB.

Experimental and theoretical investigations of optical properties of GaN/AlGaN MQW nanostructures : impact of built-in polarization fields

Esmaeili M., Gholami M., Haratizadeh H., Monemar B., Holtz P. O., Kamiyama S., Amano H., Akasaki I.

Opto-Electronics Review

2009

Vol. 17, No. 4

293-299

We report the results from detailed optical spectroscopy from MOCVD grown GaN/AlGaN multiple quantum wells (MQWs), as opposed to most previous studies where MBE was employed by means of photoluminescence (PL) technique. In this paper we will present theoretical and experimental results demonstrating how polarization induced electric fields and bound interface charges in GaN/AlGaN MQWs affect the emission peak energy, PL line shape, as well as the emission line width. Theoretically estimated fields in this work are consistent with experimental data. Transition energy of the heavy hole and electron ground state Ee-hh in GaN/AlGaN MQWs were calculated and it is found that it stays in good agreement with the experimental data.

Exciton localization behaviour in different well width undoped GaN/Al₀.₀₇Ga₀.₉₃N nanostructures

Sabooni M., Esmaeili M., Haratizadeh H., Monemar B., Paskov P., Kamiyama S., Iwaya M., Amano H., Akasaki I.

Opto-Electronics Review

2007

Vol. 15, No. 3

163-167

We report results from optical spectroscopy such as photoluminescence (PL) and time resolved photo-luminescence (TRPL) techniques from different well width MOCVD grown GaN/Al₀.₀₇Ga₀.₉₃N MQW samples. There is evidence of localization at low temperature in all samples. The decay time of all samples becomes non-exponential when the detection energy is increased with respect to the peak of the emission. Localization of carriers (excitons) is demonstrated by the "S-shape" dependences of the PL peak energies on the temperature. The time-resolved PL spectra of the 3-nm well multi quantum wells reveal that the spectral peak position shifts toward lower energies as the decay time increases and becomes red-shifted at longer decay times. There is a gradient in the PL decay time across the emission peak profile, so that the PL process at low temperatures is a free electron-localized hole transition.