Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Comparative analysis of GaAs- and GaSb-based active regions emitting in the mid-infrared wavelength range

Piskorski Ł., Frasunkiewicz L., Sarzała R. P.

Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences

|

2015

|

Vol. 63, nr 3

597--603

EN

In the present paper the results of the computer analysis of the GaAs-based and GaSb-based active regions that can be applied in compact semiconductor laser sources of radiation at mid-infrared wavelengths are presented. Quantum well material contents and strain dependencies on the maximal gain are investigated. It is shown that above 3 μm the maximal gain obtained for GaInNAs/AlGaInAs active region is high only for thick, highly-strained GaInNAs QWs with N concentration higher than 2%. Much higher gain in this wavelength range can be obtained for GaInAsSb/AlGaAsSb active region, which offers relatively high gain even at 4.5 μm when the Sb content in GaInAsSb and compressive strain in this layer are equal to 50% and − 2%, respectively.

2

Dobór wzmocnień rozszerzonego obserwatora prędkości na podstawie rozkładu biegunów

Krzemiński Z., Wachowiak D.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2013

|

R. 89, nr 11

163-168

PL

The paper presents problems related to state variable reconstruction using a speed observer based on an extended induction motor model. A system of linearized differential equations has been proposed to describe dynamics of observer errors. The quality of observer dynamics has been determined by eigenvalues of the state matrix. Evolutionary algorithm has been used as a method for selection of gains of the observer. Results of simulations and real experiments has been presented and connection between poles placement and real properties of speed observer has been shown.

3

Thermal management of GaInNAs/GaAs VECSELs

Sokół A. K., Sarzała R. P.

Opto-Electronics Review

|

2013

|

Vol. 21, No. 2

191-198

EN

Different methods used to reduce temperature increase within the active region of vertical-external-cavity surface-emitting lasers (VECSELs) are described and compared with the aid of the self-consistent thermal finite-element method. Simulations have been carried out for the GaInNAs/GaAs multiple-quantum-well (MQW) VECSEL operating at room temperature at 1.31 µm. Main results are presented in form of "thermal maps" which can be simply used to determine maximal temperature of different structures at specified pumping conditions. It has been found that these maps are also appropriate for some other GaAs-based VECSELs and can be very helpful especially during structure designing. Moreover, convective and thermal radiation heat transfer from laser walls has been investigated.

4

Thermal problems in arsenide VECSELs

Sokół A., Sarzała R.

Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology

|

2011

|

Vol. 32

53-63

EN

Different aspects of thermal management of GaAs-based vertical-external-cavity surface-emitting lasers (VECSELs) are described and analyzed by example of typical configurations of GaInNAs/GaAs multiple-quantum-well (MQW) VECSEL. Simulations of two-dimensional heat-flux spreading within investigated structures have been carried out with the aid of the self-consistent thermal finite-element method. Influence of pumping-beam and heat spreader properties on maximal temperature increase have been studied and different heat management techniques have been compared.

PL

W pracy zostały opisane i przeanalizowane wybrane aspekty dotyczące własności cieplnych optycznie pompowanych laserów półprzewodnikowych o emisji powierzchniowej z zewnętrzną pionową wnęką rezonansową (VECSELs, ang. vertical-external-cavity surface-emitting lasers) na podłożu z GaAs. Obliczenia wykonano dla typowych konfiguracji montażowych lasera typu VECSEL z obszarem czynnym w postaci wielokrotnej studni kwantowej wykonanej w systemie materiałowym GaInNAs/GaAs. Do symulacji dwuwymiarowego rozpływu ciepła wykorzystano samouzgodniony model cieplny oparty na metodzie elementów skończonych (MES) , przy pomocy którego porównano własności cieplne poszczególnych struktur oraz określono wpływ parametrów wiązki pompującej (moc, średnica) i heat spreadera (przewodność cieplna, grubość) na maksymalny przyrost temperatury w ich wnętrzach.

5

Lasery z obszarami czynnymi z rozcieńczonych azotków wytworzone na podłożu InP emitujące w zakresie średniej podczerwieni

Sarzała R. P., Szczerbiak P., Kudrawiec R.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 10

82-84

PL

W pracy przedstawiono wyniki badań dotyczące możliwości wytworzenia laserów złączowych emitujących w zakresie 2...3,5 μm powstałych na bazie technologii fosforkowej. Obszary czynne tych laserów stanowią tzw. rozcieńczone azotki (w szczególności związek GaInNAs) dopasowane sieciowo do podłoża InP. Jak pokazują wyniki wstępnych badań tak wykonane emitery światła spójnego mogą stanowić poważną alternatywę dla obecnie stosowanej technologii antymonkowej. Zaprojektowane i zamodelowane numerycznie obszary czynne laserów wykazywały w podanym obszarze na tyle duże wzmocnienie materiałowe, że na ich bazie można myśleć nie tylko o wytworzeniu laserów o emisji krawędziowej ale i laserów typu VCSEL.

EN

In the present paper, results of our investigations concerning possible manufacturing of InP-based diode lasers emitting the 2...3.5 μm radiation are presented. Their active regions are produced from dilute nitrides (from GaInNAs in particular) lattice matched to the InP substrate. According to initial results of our investigations, the above koherent light emitters may become a serious alternative for currently used antimony technology. Computer simulations of their performance confirm such a high optical gain within their active regions that they may be used not only to produce edge-emitting lasers but vertical-cavity surface-emitting lasers as well.