Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2006

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: GaAs(211)B

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Badania wzrostu HgCdTe metodą MOCVD w laboratorium VIGO/WAT

Gawron W., Grudzień M., Kłos K., Piotrowski J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2006

Vol. 47, nr 3

14-19

Od 2003 r. w laboratorium VIGO/WAT prowadzono badania nad wzrostem heterostruktur Hg1-xCdxTe o niemal dowolnych profilach składu i poziomie domieszkowania, niezbędnych dla zaawansowanych przyrządów fotoelektrycznych. MOCVD w zastosowaniu do Hg1-xCdxTe jest jedną znajtrudniejszych technologii epitaksjalnych. Omówiono zagadnienia związane ze wzrostem i charakteryzacją warstw Hg1-xCdxTe w technologii MOCVD. Dokonano pomiarów insitu względnego stężenia związków metaloorganicznych analizatorem gazu własnej konstrukcji. Podsumowano stan domieszkowania warstw Hg1-xCdxTe z uwzględnieniem ostatnich badań. Opracowana technologia MOCVD została zastosowana do otrzymywania wszystkich typów produkowanych w VIGO System detektorów podczerwieni pracujących w temperaturach pokojowych.

Since 2003 VIGO System S.A. together with MUT (Military University of Technology) are doing joint efforts to improve MOCVD growth of Hg1-xCdxTe. Photodetectors optimized for any wavelength within 1-15 um spectral range requires complex heterostructures with multiple layers with homogeneous composition and doping, characterized by steep interfaces. Hg1-xCdxTe growth with interdiffused multilayer process (IMP) technique has been improved using self-made in-situ monitoring of gas delivery to the growth zone. The other issues addressed in this work were growth of heavy As-doped low-x and heavy l-doped high-x materials. Special modification to IMP process has been applied for in-situ control of stoichiometry. To maintain low vacancy concentration, special growth finish procedure has been developed. No post-growth thermal anneal was necessary for device-quality material. The MOCVD grown heterostructures have been successfully used for advanced uncooled infrared photodetectors such as multiple heterojunction photodiodes, multicolor and multiabsorber devices with specially shaped spectral response.