Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 2015

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: GFET

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Recent advances in graphene application for electronic sensing

Łuszczek M., Świsulski D.

Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej

2015

Nr 47

115--118

The great interest in graphene is caused by its potential for constructing various sensors exhibiting excellent parameters. The high carrier mobility and the unique band structure of graphene makes it promising especially in the field-effect transistors (GFET) applications. In this article, recent advances of the selected graphene-based sensor applications were presented and the possible directions for further investigations were pointed out.

Ogromne zainteresowanie grafenem w dużej mierze związane jest z możliwością zastosowania tego materiału do budowy różnego typu sensorów charakteryzujących się doskonałymi parametrami. Bardzo duża ruchliwość nośników ładunku oraz specyficzna pasmowa struktura elektronowa grafenu sprawiają, iż wydaje się on być bardzo obiecującym materiałem, szczególnie do zastosowań w układach pomiarowych wykorzystujących czujniki o architekturze tranzystorów polowych z kanałem grafenowym (GFET). W artykule omówione zostały najnowsze osiągnięcia w dziedzinie badań nad zastosowaniem grafenu w wybranych typach czujników. Wskazano także możliwe kierunki dalszych badań, które mogłyby być realizowane w najbliższej przyszłości w Katedrze Metrologii i Systemów Informacyjnych na Wydziale Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej.

Modelling of Graphene Field-Effect Transistor for electronic sensing applications

Łuszczek M., Turzyński M., Świsulski D.

Przegląd Elektrotechniczny

2015

R. 91, nr 10

170-172

A top-gated Graphene Field-Effect Transistor (GFET) suitable for electronic sensing applications was modelled. The applied simulation method reproduces correctly the output transfer GFET characteristics and allows to investigate doping effect caused by different physical, chemical or biological factors. The appearance of additional charge in the system results in the shift of the current-voltage characteristic. This feature could be employed to measure the external factor intensity.

Przedstawiono model grafenowego tranzystora polowego (GFET). Zastosowana metoda symulacyjna pozwala poprawnie odtworzyć charakterystyki tranzystora GFET i badać efekt domieszkowania wywołanego przez czynniki fizyczne, chemiczne i biologiczne. Pojawienie się w układzie dodatkowego ładunku powoduje przesunięcie charakterystyki prądowo-napięciowej, co może być wykorzystane do pomiaru wielkości działającego czynnika zewnętrznego.