Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 5

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  GDMS
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
PL
Monokryształy antymonku galu domieszkowane na typ przewodnictwa n oraz na typ p orientacji < 100 > otrzymane zostały zmodyfikowaną metodą Czochralskiego zintegrowaną z syntezą in-situ. Zbadano wpływ parametrów technologicznych na skuteczność procesu domieszkowania i dobrano parametry w celu otrzymania monokryształów o pożądanym typie przewodnictwa oraz koncentracji nośników. Uzyskano monokryształy GaSb typu n (domieszkowane tellurem) o koncentracji nośników w zakresie od 1 x 10[indeks górny]17 do 1 x 10[indeks górny]18 cm. Otrzymane monokryształy GaSb typu p posiadały koncentrację w zakresie od 4 x 10[indeks górny]17 do 2 x 10[indeks górny]19 cm³ (domieszkowane krzemem) oraz koncentrację od 2 x 10[indeks górny]18 do 1 x 10[indeks górny]19 cm³ (domieszkowane cynkiem). Zbadano wpływ koncentracji domieszki (Te, Zn, Si), jak też sposobu jej wprowadzania (Si), na własności elektryczne otrzymanych kryształów.
EN
Gallium antimonide (GaSb) single crystals with n--type or p-type conductivity were grown by modified Czochralski method integrated with in-situ synthesis. The influence of technological parameters on doping process and its effectivity was investigated. Tellurium doped n-type GaSb single crystals were obtained with carrier concentration from 1 x 10[sup]17 to 1 x 10[sup]18 cm-³. GaSb p-type single crystals were obtained with carrier concentration from 4 x 10[sup]17 to 2 x 10[19] cm-³ (Si-doped) and from 2 x 10[sup]18 to 1 x 10[sup]19 cm-³ (Zn-doped). Dopant concentration was estimated by GDMS analysis.
PL
Zbadano wpływ wysokiej temperatury na zjawisko dyfuzji występujące na granicy warstw miedzi i niklu w płytkach drukowanych (Printed Circuit Board). Poddano analizie układy warstwowe Cu/Ni/Au po wygrzaniu ich w temperaturach: 200 i 300°C oraz niewygrzewane. Do zainicjowania i utrzymania wyładowania jarzeniowego w trakcie analizy, do badanej próbki przykładano stałe napięcie o wartości 1500V. Proces wyładowania jarzeniowego prowadzono w argonie przy ciśnieniu wynoszącym ok. 1hPa. Zastosowano katodę pośrednią wykonaną z blachy tantalowej z otworem o średnicy 1,5 mm. Uzyskane w trakcie przeprowadzonych analiz wyniki pokazują, że dyfuzja na granicy warstw Cu/Ni nie zachodzi w temperaturze 200°C, natomiast jest wyraźnie widoczna w efekcie grzania układu w temperaturze 300°C. Wyniki pokazują też, że analizator GDMS typ SMWJ-01 może być stosowany do innych badań związanych z charakteryzacją cienkich warstw.
EN
Results of glow discharge mass spectrometry (GDMS) depth profile analysis are presented. Interdiffusion in the Cu-based Cu/Ni/Au trilayer films of a printed circuit board has been investigated for anneal temperatures of 200 and 300°C in forming gas Ar. Non heated sample was also analysed. In GDMS method of analysis the sample is a cathode. Argon positive ions bombard surface of the sample resulting atomization and ionization of atoms from the sample surface. In depth profile mode of analysis we use intermediate cathode. Tantalum diaphragm of 1.5 mm diameter is masking analyzed samples. Glow discharge is obtained in argon at 1 hPa pressure and due to application of 1500 V DC voltage. The results show that Cu/Ni/Au structure is stable up to 200°C. Cu - Ni inter-diffusion occurs at 300°C. GDMS method appears to be a very useful for depth profile analysis of electronic layered structures.
PL
Przedstawiono wyniki prac badawczych dotyczących zastosowania nowo opracowanego spektrometrycznego analizatora wyładowania jarzeniowego (typ SMWJ-01) do analizy profilowej układów warstwowych. Jako układy testowe badano cienkie warstwy azotków tytanu i chromu nanoszone metodą plazmową na powierzchnię stali. W trakcie analizy powierzchnia badanych próbek ulega trawieniu jonowemu w obszarze wyładowania jarzeniowego. Rozpylone składniki atomowe ulegają jonizacji i są analizowane przez układ kwadrupolowego filtru mas. Rejestrowane prądy jonów odzwierciedlają skład atomowy rozpylanych warstw. Zastosowana metoda umożliwia analizę warstw (szybkość trawienia ok.0,8 žm/min). Czas analizy jest krótki - wynosi ok. 15 min wraz z zamocowaniem badanej próbki w analizatorze. Do wytworzenia wyładowania jarzeniowego stosowano stałe napięcie 1350 V oraz ciśnienie argonu ok. 1 hPa. Analizator GDMS typ SMWJ-01 może być stosowany do charakteryzacji cienkich warstw, a wyniki mogą być zastosowane w technologii nanoszenia warstw oraz kontroli ich jakości.
EN
Results of glow discharge mass spectrometry (GDMS) depth profile analysis are presented. Analysed structures were TiN and CrN materials deposited on st-3 steel using vacuum plasma arc method. During the analysis surface of samples is eroded by argon ions originated from glow discharge. Ion sputtering allows to remove atomic layers of the structures. Sputtered material is ionized in glow discharge and ions are extracted into quadrupole mass analyzer. Registered ion currents reflect the uncovered structure. The method allows for 0,8 mm/min sputtering rate and quick analysis time - 15 min including sample loading and pumping. Glow discharge is obtained using 1500 V DCand 1hPa of working gas argon. Intermediate cathode of 1.5 mm diaphragm is used to mask analysed samples. The method shows that thin layers can be analysed with a good depth resolution. Multilayer system allows to resolve 10 nm thick single layers of TiN and CrN. The simple construction analyser can be used for thin film characterization and technology process monitoring.
PL
W artykule opisano laboratoryjny zestaw spektrometru mas wyładowania jarzeniowego opracowany i wykonany w Przemysłowym Instytucie Elektroniki w Warszawie. Wyładowanie jarzeniowe jest inicjowane prądem stałym w obecności argonu jako gazu wyładowczego i powoduje rozpylanie jonowe analizowanej próbki. Powstałe jony są analizowane za pomocą kwadrupolowego spektrometru mas. Przedstawiono podstawowe parametry urządzenia i przykłady uzyskanych spektrogramów.
EN
A laboratory model of a glow discharge mass spectrometer with Grimm-type glow discharge ion source and quadruple mass spectrometer has been developed. This spectrometer provides detailed analysis of metals, alloys and isolators at a very attractive price.
PL
Omówiono trzy metody spektrometrii mas: ze źródłem iskrowym (SSMS), jonów wtórnych (SIMS) oraz wyładowania jarzeniowego (GDMS). Porównano rodzaje zastosowanych źródeł jonowych oraz parametry trzech analizatorów znajdujących się w wyposażeniu Przemysłowego Instytutu Elektroniki (SAJW-05, JEOL JMS-01BM2 oraz model doświadczalny GDMS). Zaprezentowano przykłady zastosowań tych metod do badań różnorodnych materiałów, takich jak półprzewodnikowe układy warstwowe InAIGaAs/GaAs, drobiny pyłów atmosferycznych zanieczyszczających środowisko miejskie, stal nierdzewna. Przedstawiono zalety oraz wady poszczególnych metod.
EN
Three methods of mass spectrometry - spark source (SSMS), secondary ion (SIMS) and glow discharge (GDMS) are compared. Types of ion sources are discussed as well as parameters of three analyzers being in use in Industrial Institute of Electronics (SAJW-05 SIMS, JEOL JMS-01BM2 SSMS and laboratory version of GDMS). Examples of analyses show SIMS mass spectrum and depth profile analysis of MOVPE grown multilayer structure, SSMS results of urban aerosol composition and GDMS results of stainless steel. Advantages and drawbacks of each method are described.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.