Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: Fourier transformed spectroscopy

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Compact dual-band FTIR spectrometer for atmosphere monitoring

Wawrzyniuk L., Jóźwicki R., Szymański G., Rataj M., Błęcka M., Cichocki A., Pietrzak R.

Opto-Electronics Review

2015

Vol. 23, No. 3

208-213

Novel FTIR spectrometer for the monitoring of atmosphere is presented. Its design stands out by a compact form allowing the measures in two IR spectral bands 3-5 and 8-12 μm simultaneously. The spectrometer is composed of two Michelson interferometers with the joint sliding mirror. The paper contains the detailed description of the optics and electronics units, preliminary results of the measurement of biological aerosols and calibration methods.

Lasery pracujące w schemacie kaskadowym w kontekście zastosowania w szeroko przestrajalnych optoelektronicznych czujnikach gazów

Motyka M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2014

Vol. 55, nr 11

54-56

W niniejszej pracy przedstawiono wyniki badań spektroskopowych przeprowadzonych na studniach kwantowych drugiego typu AlSb/InAs/GaIn(As)Sb/InAs/AlSb osadzanych na podłożu z GaSb lub z InAs. Badania skoncentrowane były na analizie widm optycznych wykonanych eksperymentów natury zarówno emisyjnej jak i absorpcyjnej. Szczegółowa analiza widm fotoluminescencji oraz fotoodbicia pozwoliła na zbadanie takich aspektów jak np: (i) wpływ zastosowania czteroskładnikowej warstwy GaIn(As)Sb o różnej koncentracji atomów arsenu na energię przejścia podstawowego; (ii) wpływ dodatku arsenu na obecność i koncentrację defektów w obszarze między powierzchni InAs/GaIn(As)Sb; (iii) modyfikacja struktury celem zwiększenia siły oscylatora podstawowego przejścia optycznego; (iv) analiza szerokości spektralnej widm fotoluminescencji w funkcji mocy pobudzania i jej związek z szerokością pasma wzmocnienia w przyrządach laserowych.

In this work, there are presented the results of the spectroscopic studies on the type II AlSb/InAs/GaIn(As)Sb/InAs/AlSb quantum wells. The work has been focused on the analysis of the photoluminescence and photoreflectance spectra. The performed measurements allowed to investigate the following device-relevant issues: (i) the influence of composition of the quaternary layers GaIn(As)Sb, with different arsenic contents, on the fundamental transition energy; (ii) the role of the arsenic atoms on the formation of defect-like states at the interfaces; (iii) structure modification for the enhancement of the oscillator strength of the optical transitions; (iv) the analysis the emission band spectral width in a function of the optical exciation in the context to broadening the laser device band gainwidth.