PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 4

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  EFM
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Experimental quantification of electrostatic damage (ESD) in binary reticle with feature of nanometre scale gaps
Razman Harriman, Awang Md Isa Azmi, Suadi Mohamad Kadim
Przegląd Elektrotechniczny
|
2022
|
R. 98, nr 3
60--63
EN
A Binary reticle for lithography circuit patterning is extremerly senstive to electrostatic field. Damaged is seen on its feature after a breakdown voltage occurred between the metal lines. The experimental quantification of ESD for Binary reticle is performed by direct discharge to the feature of Critical Dimension (CD) of 80 nm to 160 nm. Its breakdown voltage correlated to CD but lower than international standard recommendations and observed Electric Field-Induced Migration (EFM) damaged at CD of < 110 nm but ESD for CD > 110 nm to 160 nm.
PL
Siatka binarna do wzorcowania obwodów litograficznych jest niezwykle wrażliwa na pole elektrostatyczne. Uszkodzenie jest widoczne na jego cechach po wystąpieniu napięcia przebicia między metalowymi liniami. Eksperymentalne oznaczenie ilościowe ESD dla siatki binarnej jest wykonywane przez bezpośrednie wyładowanie do cechy wymiaru krytycznego (CD) od 80 nm do 160 nm. Jego napięcie przebicia było skorelowane z CD, ale niższe niż zalecenia międzynarodowych standardów i zaobserwowano migrację indukowaną polem elektrycznym (EFM) uszkodzoną przy CD < 110 nm, ale ESD dla CD > 110 nm do 160 nm.
2
Content available remote Optymalizacja układu ekspozycyjnego pola elektromagnetycznego w zakresie mikrofal
Bieńkowski P., Zubrzak B.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2013
|
R. 89, nr 12
295-297
PL
W pracy przedstawiono podstawowe informacje o układach ekspozycyjnych wzorców pól elektromagnetycznych (PEM) ze szczególnym uwzględnieniem wzorców na pasmo mikrofalowe. Scharakteryzowano najczęściej spotykane rozwiązania analizując ich wady i zalety. W głównej mierze skupiono się na układach otwartych z antenami tubowymi i problemach, jakie są powodowane przez odbicia w nich występujące. Przedstawiono jak zminimalizować wpływ odbić poprzez dobór odpowiedniego układu przestrzennego obszaru ekspozycyjnego oraz prawidłowe rozmieszczenie absorberów PEM i uzyskać kompromis między gabarytami układu wzorca a optymalnymi parametrami wzorcowego PEM.
EN
The paper presents basic information about the exposure systems of electromagnetic field (EMF) setups focusing on setups for the microwave band. The most common solutions are characterized, analyzing their advantages and disadvantages. It is mainly focused on open exposure systems with the horn antennas and problems caused by reflections occurring within, as well as external fields influence. Shows how to minimize the impact of reflections by arranging the setup exposure area and proper pyramidal absorbers location to get a compromise between the standard dimensions and optimal parameters of generated EMF.
3
Diagnostyka struktur półprzewodnikowych z wykorzystaniem zaawansowanych technik bliskiego pola
Sikora A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
Vol. 51, nr 9
93-95
PL
W artykule omówiono możliwości wykorzystania mikroskopii bliskiego pola w diagnostyce elementów dyskretnych układów scalonych. Wysoka zdolność rozdzielcza tej techniki pomiarowej, w połączeniu z możliwością uzyskania szerokiego spektrum informacji na temat badanego obiektu, czyni ją doskonałym narzędziem w weryfikacji niezawodności nowo projektowanych układów scalonych. Zaprezentowane wyniki demonstrują efektywność mikroskopii bliskiego pola w ocenie funkcjonowania poszczególnych elementów.
EN
In this article the possibility of utilization of near field microscopy in diagnostic of discrete components in integrated circuits was discused. Due to high spatial resolution and wide spectra of delivere information about tested object, this technique is a powerful tool verification of the reliability of newly developed integrated circuits. Presented results will show effectiveness of the near field microscopy in evaluation of operation of certain components.
4
Wykorzystanie technologii Ethernet poza sieciami lokalnymi
Nowicki K.
Studia Informatica
|
2002
|
Vol. 23, nr 2A
165-173
PL
W referacie opisano próby implementacji protokołu Ethernet nie tylko w sieciach lokalnych, ale również w sieciach dostępowych (Ethernet pierwszej/ostatniej mili - EFM) i rozległych (10 Gigabit Ethernet - 10 GE). Proponowane rozwiązanie EFM może się stać tanim szerokopasmowym alternatywnym rozwiązaniem dla DSL i modemów kablowych. Z kolei 10 GE może być alternatywą lub uzupełnieniem zastosowań OC-192 SONET.
EN
In the paper some technical aspects leading to the conclusion that Ethernet protocols can soon dominate the market of only LANs but also access and wide nwetworks have been presented. This paper descibes two proposals of new Ethernet standards: EFM and 10 GE. The EFM could be deployed as a low-cost broadband alternative to DSL and cable modem. 10 GE can easily interconnect with OC-192 SONET networks.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.