Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: Darlington transistor

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Nowa metoda szybkiego wyznaczania przebiegu temperatury wnętrza tranzystora w układzie klucza równoległego

Górecki K., Zarębski J.

Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni

2004

nr 53

113-120

W artykule zaproponowano nową metodę wyznaczania czasowego przebiegu temperatury wnętrza tranzystora pracującego w układzie klucza równoległego. Metoda ta zapewnia skrócenie czasu obliczeń w stosunku do klasycznych algorytmów analizy elektrotermicznej. Realizacja metody wymaga określonych relacji między wartościami elektrycznych i termicznych stałych czasowych tranzystora oraz wartością okresu sygnału sterującego tranzystor. Poprawność algorytmu zweryfikowano na przykładzie klucza równoległego z tranzystora Darlingtona.

In the paper a new method of fast calculations of the junction temperature of the transistor operating in the parallel switch circuit is proposed. The realisation of the method is possible only for the adequate relations between the transistor electrical and thermal time constants and the period of the controlling signal. The correctness of the method was verified for the parallel switch circuit with the Darlington transistor.

Modelowanie nieizotermicznych stałoprądowych charakterystyk tranzystora Darlingtona mocy za pomocą programu APLAC

Zarębski J., Górecki K.

Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji

1998

Vol. 44, nr 4

519-534

W pracy sformułowano trzy różne postacie elektrotermicznego makromodelu tranzystora Darlingtona mocy (EMTD) dla programu APLAC. Pierwszy z opracowanych makromodeli opiera się na wbudowanych elektrotermicznych modelach elementów składowych występujących w strukturze tranzystora Darlingtona nocy. Przy konstruowaniu dwóch następnych, zastosowano tzw. hybrydowe oraz globalne elektrotermiczne modele tranzystora bipolarnego stanowiące obwodową modyfikację wbudowanych modeli tego elementu. Wyniki symulacji, zweryfikowane doświadczalnie, wykazały wyraźną poprawę dokładności EMTD w przypadku wykorzystywania zmodyfikowanych elektrotermicznych modeli tranzystora bipolarnego.

In the paper three various forms of the electrothermal macromodel of the power Darlington transisrtor (EMDT) for APLAC user were formulated. First of them is based on the built - in electrothermal models of the component devices of Darlington transistor structure. In the designing process of the next two, so called, hybrid and global electrothermal models of the bipolar transistor were formulated and utilized. In the case of using of the modifield versions of the electrothermal BJT models, the simulation results verifield experimentally have shown a visible improvement of accurancy of EMTD.