Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC

Sochacki M., Kwietniewski N., Taube A., Król K., Szmidt J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2013

|

Vol. 54, nr 9

40-43

PL

W artykule zaprezentowano analizę wpływu czynników konstrukcyjno- technologicznych (dokładność fotolitografii, głębokość i profil domieszkowania złączy p-n, parametry warstwy przejściowej dielektryk/półprzewodnik, właściwości użytego dielektryka), które są krytyczne z punktu widzenia parametrów elektrycznych tranzystorów MOS mocy (napięcie przebicia, napięcie progowe, maksymalny prąd drenu, prąd upływu przy polaryzacji zaporowej).

EN

This article presents an analysis of the impact of design and technological factors (photolitography accuracy, p-n junction doping depth and profile, dielectric/semiconductor interface parameters, gate dielectric properties) that are crucial in terms of electrical parameters of power MOSFETs like breakdown voltage, threshold voltage, maximum drain current, leakage current at reverse bias).

2

Konstrukcja i modelowanie tranzystorów wertykalnych DIMOSFET w węgliku krzemu

Taube A., Sochacki M., Szmidt J.

Spektrum

|

2012

|

nr 9-10

I-V

PL

W artykule przedstawiono wyniki modelowania wertykalnego tranzystora DIMOSFET w węgliku krzemu. Przedstawiono wyniki wpływu kształtu profilu oraz energii i dozy implantacji wyspy typu p na parametry pracy tranzystora Szczególną uwagę poświęcono zapewnieniu wysokiej wartości napięcia przebicia przy jednoczesnym zachowaniu niskiej wartości napięcia progowego. W pracy przedstawiono również wpływ zastosowania dielektryków o wysokiej względnej przenikalności elektrycznej na charakterystyki elektryczne tranzystora. Wykonane symulacje pokazały, że możliwe jest uzyskanie rezystancji w stanie włączenia Ron poniżej 2 m(omega)cm-2 (przy zakładanej ruchliwości elektronów w kanale že=70 cm2/Vs) przy napięciu przebicia na poziomie 1,3 kV.

EN

Numerical device simulations on a 4H-SiC Vertical MOSFET are presented. The simulations mainly focus on the influence of design parameters on reverse blocking voltage, threshold voltage, forward characteristics and on state resistance. Influence of usage of high-k dielectrics is also discussed Optimised structure have high blocking voltage of 1 3kV and very low specific on resistance of 1.59 m(omega)cm-2.

3

Konstrukcja i modelowanie tranzystorów wertykalnych DIMOSFET w węgliku krzemu

Taube A., Sochacki M., Szmidt J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 9

45-49

PL

W artykule przedstawiono wyniki modelowania wertykalnego tranzystora DIMOSFET w węgliku krzemu. Przedstawiono wyniki wpływu kształtu profilu oraz energii i dozy implantacji wyspy typu p na parametry pracy tranzystora Szczególną uwagę poświęcono zapewnieniu wysokiej wartości napięcia przebicia przy jednoczesnym zachowaniu niskiej wartości napięcia progowego. W pracy przedstawiono również wpływ zastosowania dielektryków o wysokiej względnej przenikalności elektrycznej na charakterystyki elektryczne tranzystora. Wykonane symulacje pokazały, że możliwe jest uzyskanie rezystancji w stanie włączenia Ron poniżej 2 mΩcm⁻² (przy zakładanej ruchliwości elektronów w kanale µe=70 cm²/Vs) przy napięciu przebicia na poziomie 1,3 kV.

EN

Numerical device simulations on a 4H-SiC Vertical MOSFET are presented. The simulations mainly focus on the influence of design parameters on reverse blocking voltage, threshold voltage, forward characteristics and on state resistance. Influence of usage of high-k dielectrics is also discussed Optimised structure have high blocking voltage of 1 3kV and very low specific on resistance of 1.59 mΩcm⁻².