Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

The Numerical Simulation Study of the DC Compensated Choke for the DC/DC Buck Converter

Ruszczyk A., Puskarczyk M.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2015

|

R. 91, nr 4

28--32

EN

The paper presents the structure of an output filter used for a DC/DC buck converter. The problem with an output filter in the DC/DC converters is that the L inductor works with a high DC bias current for standard solutions and thus causes a significant increase in the core crosssection and a total weight of the choke. The proposed solution bases on a choke structure with split coils that creates opposed fluxes in the core and, as a result, cancels their DC component. This, in turn, allows to build a choke with a better utilized and lighter core. The proposed solution of the DC compensated choke is shown in the circuit simulation of the DC/DC buck converter and FEM simulations of the choke model. All results have been confirmed in laboratory experiments.

PL

Artykuł przedstawia strukturę filtra wyjściowego użytego w przekształtniku DC/DC obniżającym napięcie typu „buck converter”. Głównym problemem występującym w filtrach dla przekształtników DC/DC jest to, że w typowych rozwiązaniach indukcyjność L pracuje z dużym prądem podmagnesowania DC. Jest to bezpośrednim powodem znacznego zwiększenia przekroju poprzecznego rdzenia i całkowitej wagi dławika L. Zaproponowane rozwiązanie bazuje na strukturze dławika z rozdzielonym uzwojeniem, które tworzy w rdzeniu strumienie przeciwne, a w rezultacie powoduje wzajemne kasowanie ich składowych stałych DC. To, z kolei, pozwala na stworzenie dławika, który posiada lżejszy, lepiej wykorzystany rdzeń magnetyczny. Działanie zaproponowanego dławika ze skompensowaną składową stałą DC jest przedstawione w symulacjach obwodowych przekształtnika DC/DC obniżającego napięcie typu „buck converter” oraz symulacjach polowych FEM modelu dławika L. Wyniki symulacji zostały potwierdzone badaniami laboratoryjnymi.

2

Dynamics effects on losses due to rotational magnetization

Sabic D., Pfutzner H., Hofbauer F., Shilyashki G., Mulasalihovic E.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2011

|

R. 87, nr 9b

29-32

EN

As well known, rotational magnetization (RM) may cause high increases of power losses P in comparison to alternating magnetization (AM), in particular for highly grain oriented SiFe. So far, it had been assumed that the loss increase is a mere function of shape of the induction pattern B(t). However, closer investigations reveal that a further impact is given by the angular velocity of the vector B. Compared to low dynamics as being typical for simulations on RSSTs, high dynamics as being typical for T-joint regions of transformer cores yield further increases of losses. For elliptic RM, the increases are rather weak and tend to decrease with rising axis ratio a. On the other hand, distinctly increased P arises for rhombic RM as being typical for transformers. Further increases result for oblique rhombic RM as arising close to overlaps. On the other hand, lower P is given for the case of DC bias due to the fact that anomalous eddy current losses play a weaker role here.

PL

Magnesowanie rotacyjne powoduje wzrost trat szczególnie w blachach anizotropowych SiFe. Szczegółowa analiza wykazała że straty te zależą od szybkości kątowej zmian indukcji. Szczególnie duży wzrost strat obserwuje się dla rombowej zmiany, typowej w rdzeniach transformatora. Z drugiej strony podmagnesowanie DC zmniejsza wzrost strat przez zmniejszenia strat dodatkowych powodowanych przez prądy wirowe.

3

Reaktywne trawienie jonowe heterostruktur AlGaN/GaN w plazmie Cl₂/BCl₃

Gryglewicz J., Oleszkiewicz W., Wośko M., Szyszka A., Paszkiewicz B.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 11

19-21

PL

W procesie reaktywnego trawienia jonowego (RIE) wielkiej częstotliwości (w.cz) heterostruktur AlGaN/GaN, badano wpływ oddziaływania potencjału auto-polaryzacji dc podłoży (dc bias) oraz mocy wyładowania w.cz. na morfologię trawionej powierzchni oraz szybkość trawienia azotku galowo-glinowego. Procesy trawienia heterostruktur AlGaN/GaN, wytworzonych przy ciśnieniu atmosferycznym, techniką LP-MOVPE, wykonywano w urządzeniu Oxford Instruments Plasmalab 80Plus RIE. Szybkości trawienia oraz wpływ oddziaływania bombardowania jonowego na trawioną powierzchnię podloża badano przy użyciu mikroskopu sił atomowych (AFM) firmy Veeco Instruments pracującym w modzie tappingu. Podłoża testowe trawiono w plazmie chlorowej w stałej proporcji mieszaniny gazów CI₂/BCI₃/Ar.

EN

This work is concentrated on description of influence of process conditions on RIE of AlGaN/GaN heterostructures results, especially the influence of self-dc bias and rf power on morphology and etch rate of AlGaN. In study Oxford Instruments Plasmalab80 RIE tool was used to perform RIE processes on heterostructures grown using MOVPE technique at atmospheric pressure. The etch rates and the influence of ion bombardment on the heterostructures surface was studied by atomic force microscope (AFM) in tapping mode. The test heterostructures were etched in chlorine-based plasma at constant gas mixture of CI₂ /BCI₃/Ar.