Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: Czochralski

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Wkład Jana Czochralskiego w rozwój inżynierii korozyjnej

Królikowski A.

Ochrona przed Korozją

2013

nr 11

474--477

Jan Czochralski, patron roku 2013 w Polsce, jest powszechnie znany jako autor metody otrzymywania monokryształów. Jednak Czochralski prowadził także badania w obszarze inżynierii korozyjnej. W tej pracy przedstawiono jego osiągnięcia w zakresie metodyki pomiarów korozyjnych, badań odporności korozyjnej nowych stopów, korozji naprężeniowej i wykrywania wtrąceń metalicznych w metalach.

Jan Czochralski, the patron of the 2013 year in Poland, is widely recognized from the method of growing single crystals. However, Czochralski was also involved in research on the corrosion engineering. In this paper his achievements in the fi eld of corrosion testing, corrosion behaviour of developed alloys, stress corrosion cracking and determination of nonmetalic inclusions in metals are outlined.

Monokryształy antymonku galu (GaSb) otrzymane metodą Czochralskiego

Mirowska A., Orłowski W., Bańkowska A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2010

Vol. 51, nr 1

53-55

Do otrzymywania monokryształów antymonku galu (GaSb) została wybrana metoda Czochralskiego. Zbadano wpływ parametrów technologicznych procesu na właściwości niedomieszkowanych monokryształów GaSb. Otrzymano niedomieszkowane monokryształy o orientacji <111> oraz <100> o koncentracji nośników p< 2·10¹⁷ cm⁻³ oraz ruchliwości u > 600 cm²/Vs mierzonej w 300K. Przeprowadzono próby domieszkowania antymonku galu na typ n przewodnictwa (domieszkowanie tellurem) oraz na typ p przewodnictwa (jako domieszki użyto krzem). W obu przypadkach otrzymano monokryształy o orientacji <100>.

Gallium antimonide (GaSb) single crystals were grown by Czochralski method. The influence of technological parameters on GaSb parameters has been investigated. Undoped <111> and <100> oriented GaSb single crystals were obtained with carrier concentration p < 2·10¹⁷ cm⁻³ and mobility μ > 600 cm²/Vs (measured in 300K). Gallium antimonide doping were done for n-type of conductivity (by tellurium) and for p-type (by silicon). In both cases <100> oriented single crystals were obtained.