PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 4

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  CST Studio
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Wpływ wymiarów otworu w obudowie ekranującej pole elektromagnetyczne na jej częstotliwość rezonansową - symulacja komputerowa
Budnarowska Magdalena, Mizeraczyk Jerzy
Przegląd Elektrotechniczny
|
2023
|
R. 99, nr 9
281--284
PL
W artykule przedstawiono wyniki symulacyjnych badań numerycznych wpływu wymiarów otworu w metalowej obudowie ekranującej pole EM na jej częstotliwość rezonansową. Symulacje numeryczne wykonano w środowisku CST Studio z użyciem Frequency Domain Solver. Wyznaczono numerycznie częstotliwości rezonansowe różnych przypadków wymiarów prostokątnego otworu znajdującego się na środku ściany frontowej obudowy. Symulację wykonano dla: zmiany szerokości otworu przy zachowaniu jego stałej wysokości, zmiany wysokości otworu przy stałej jego szerokości i dla kilku wariantów szerokość-wysokość otworu przy zachowaniu takiej samej powierzchni. Z symulacji generalnie wynika, że istnienie otworu powoduje zmniejszenie częstotliwości rezonansowej obudowy. Przy ustalonym drugim wymiarze otworu, zwiększanie szerokości lub wysokości otworu skutkuje zmniejszeniem częstotliwości rezonansowej obudowy. Po raz pierwszy pokazano, że obecność otworu w obudowie zmienia morfologię modu rezonansowego obudowy.
EN
The article presents the results of simulated numerical investigations on the impact of the dimensions of an aperture in a shielding enclosure on its resonant frequency in an electromagnetic field. The numerical simulations were conducted using the CST Studio with the Frequency Domain Solver. Resonant frequencies of various cases of rectangular aperture dimensions located in the center of the front wall of the enclosure were numerically determined. The simulation was carried out for: varying the width of the aperture while keeping its height constant, varying the height of the aperture while keeping its width constant, and for several width-height combinations while maintaining the same area. Overall, the simulations indicate that the presence of an aperture leads to a decrease in the resonant frequency of the enclosure. With a fixed second dimension of the aperture, increasing the width or height of the aperture results in a decrease in the resonant frequency of the enclosure. It was shown for the first time that an aperture in the EM shielding changes the morphology of its resonant mode.
2
Content available remote Uboczny wpływ intencjonalnego impulsowego zaburzenia EM na środowisko elektromagnetyczne
Mizeraczyk Jerzy, Budnarowska Magdalena, Falkowski Filip
Przegląd Elektrotechniczny
|
2023
|
R. 99, nr 9
271--274
PL
W artykule pokazano po raz pierwszy, że intencjonalne impulsowe zaburzenie elektromagnetyczne (EM) może spowodować nie tylko zakłócenie elektromagnetyczne w wybranym obiekcie (lub obiektach) elektronicznym, ale oddziałuje ono również na środowisko elektromagnetyczne poprzez elektryzowanie napotykanych obiektów metalowych, które następnie stają się niepożądanymi źródłami pola elektromagnetycznego, w tym fal elektromagnetycznych w czasie i po przejściu intencjonalnego impulsowego zaburzenia EM. Generacja tych fal przez naelektryzowane obiekty metalowe jest rezultatem redystrybucji swobodnych elektronów w metalowych obiektach w czasie przemieszczania się intencjonalnego impulsowego zaburzenia EM przez te obiekty oraz relaksacji tej redystrybucji po przejściu tego zaburzenia. Relaksacja redystrybucji elektronów w obiektach metalowych trwa stosunkowo długo po przejściu EM impulsu zaburzającego, wytwarzając kolejne zaburzenie EM w postaci pola EM wokół obiektów. W niniejszej pracy demonstracja istnienia ubocznego wpływu intencjonalnego impulsu EM na środowisko elektromagnetyczne została wykonana za pomocą symulacji komputerowej przy użyciu programu obliczeniowego CST Studio.
EN
The article presents for the first time that an intentional (EM) electromagnetic interference pulse can not only cause an electromagnetic disturbance in a selected electronic object (or objects) but also interacts with the electromagnetic environment by electrifying encountered metal objects, which then become undesired sources of the electromagnetic field in the form of electromagnetic waves during and after the passage of intentional EM interference. The generation of this unwanted EM field by the electrified metal objects results from the redistribution of free electrons in the metal objects as the intentional pulsed EM passes through them, as well as the relaxation of this redistribution after the passage of the interference. The relaxation of electron redistribution in the metal objects lasts relatively long after the passage of the EM interference pulse, creating the subsequent EM interference in the form of the EM field around the encountered metal objects. In this study, the demonstration of the existence of the side effect of the interaction of intentional EM pulse with the electromagnetic environment was carried out by computer simulation using the CST Studio.
3
Content available remote Skuteczność ekranowania ultrakrótkich impulsów elektromagnetycznych przez obudowę z otworem
Budnarowska Magdalena, Mizeraczyk Jerzy, Bisewski Damian
Przegląd Elektrotechniczny
|
2022
|
R. 98, nr 2
110--113
PL
W artykule przedstawiono wyniki badań numerycznych pozwalających na określenie skuteczności ekranowania ultrakrótkich impulsów elektromagnetycznych przez obudowę z otworem. W symulacjach numerycznych wykorzystano program CST Studio. Wyniki symulacji zaprezentowane w formie obrazów 2D pola EM wykazały istnienie dwóch faz rozwoju tego pola w obudowie tj.: fazy falowej i fazy interferencyjnej. Obserwacja czasowych zmian pola EM w dwóch charakterystycznych punktach A i B wewnątrz obudowy wykazała, że w obu fazach pola elektryczne i magnetyczne mają postać impulsów falowych przechodzących przez te punkty w czasie znacznie dłuższym niż czas trwania impulsu zaburzającego.
EN
This paper presents results of the numerical simulation of shielding effectiveness of an ultrashort electromagnetic pulses by an enclosure with aperture. The simulation was performed using CST Studio software. In the numerical simulation, the results presented in the form of 2D images of the EM field revealed the existence of two phases of the development of the EM field in the housing: the wave phase and the interference phase. The observation of the changes of the EM field at two characteristic points A and B in an enclosure with aperture showed that induced field is long-lasting compared to the exposure time of the external disturbing pulse.
4
Content available remote Pole elektromagnetyczne w obudowie ekranującej z otworem technologicznym po zaburzeniu ultrakrótkim impulsem fali płaskiej dużej mocy
Budnarowska Magdalena, Mizeraczyk Jerzy, Studański Ryszard
Przegląd Elektrotechniczny
|
2022
|
R. 98, nr 3
121--124
PL
W artykule przedstawiono wyniki numerycznej symulacji rozwoju pola elektromagnetycznego (EM) w obudowie ekranującej z otworem po zaburzeniu ultrakrótkim impulsem fali płaskiej dużej mocy. Obliczenia numeryczne wykonano w środowisku CST Studio. Symulacje ujawniły istnienie dwóch dotąd nieznanych faz rozwoju pola EM: fazy falowej i fazy interferencyjnej. W symulacji zastosowano nowe wizualizacyjne podejście do analizy mechanizmów sprzężenia i rozwoju pola elektromagnetycznego indukowanego wewnątrz obudowy ekranującej z otworem przez ultrakrótki elektromagnetyczny impuls fali płaskiej. Z symulacji wynika, że pole indukowane w obudowie jest długotrwałe w porównaniu z rzeczywistym czasem oddziaływania zewnętrznego impulsu zaburzającego i stanowi poważne zagrożenie EM przez czas znacznie dłuższy niż czas rzeczywistego oddziaływania impulsu zaburzającego.
EN
This paper presents results of the numerical simulation of development of EM field in shielding enclosure with aperture after interference caused by a subnanosecond ultrashort EM plane wave pulse. The simulation was performed using CST Studio software. Simulations revealed the existence of two unknown phases of the EM field build-up in the enclosure with aperture: the wave phase and the interference phase. The simulation uses a new visualization approach to the analysis of the coupling mechanisms and of development of the EM field induced inside the shielding box with aperture after interference caused by an ultrashort EM plane wave pulse. Simulation shows that the induced field in the shielding box is longlasting compared to the exposure time of the external disturbing pulse and poses a serious EM hazard for a time much longer than the actual exposure of the disturbing pulse.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.