Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: C-V profiling

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Określenie poziomu domieszkowania w absorberach ogniw słonecznych Cu(In,Ga)Se2

Ćwil M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2008

Vol. 49, nr 5

65-66

Przedstawiono badania rozkładu domieszkowania w absorberach ogniw słonecznych Cu(ln,Ga)Se2 przy wykorzystaniu metody pojemnościowo-napięciowej (C-V). Profil rozkładu defektów w warstwie aktywnej uzyskany na podstawie charakterystyki C-V jest silnie niejednorodny za co odpowiedzialny jest elektrostatyczny ładunek zgromadzony w głębokich stanach materiału. Koncentracja głębokich pułapek jest ok. rząd wielkości większa aniżeli poziom domieszkowania płytkich stanów akceptorowych. Dyskusja i wnioski wsparte są numerycznymi symulacjami charakterystyk C-V przy użyciu programu SCAPS.

Capacitance-voltage profiling has been used in order to determine net shallow acceptor concentration in the absorber of Cu(ln,Ga)Se2 - based solar cell. The influence of deep defects on evaluation of spatial doping distribution in the bulk of Cu(ln,Ga)Se2 absorber is discussed. We attribute the apparent non-uniformity of doping profile towards the back electrode to the accumulation of electrostatic charge in deep bulk acceptors with concentration an order of magnitude higher than net shallow doping. All conclusions have been tested by SCAPS numerical modeling.