Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 2001

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: Bridgman type device for undirectional crystallization

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

The undercooling and interlamellar spacing in unmodified and modified Al-Si eutectic alloys.

Guzik E., Kopyciński D.

Inżynieria Materiałowa

2001

R. XXII, nr 4

373-375

The paper presents results of the research on unidirectional crystallization of unmodified and modified Al-Si alloys. Relation between interlamellar (interfibre) spacing lambda, undercooling delta T and growth rate nu has been established by the use the Bridgman type device for unidirectional crystallization. It has been observed that the increase on growth rate nu results in the decrease of value of parameter lambda. The shape of the solid/liquid interface of alpha(Al)-Si eutectic and the protrusion of alpha(Al) by the leading crystal Si are also presented.

W ramach badań własnych, przedstawiono wyniki badań kierunkowej krystalizacji modyfikowanego i niemodyfikowanego eutektycznego siluminu. Wykorzystując zbudowane urządzenie do kierunkowej krystalizacji typu Brydgmana, ustalono związek między parametrem geometrycznym eutektyki lambda (odległość międzyfazowa) oraz stopniem przechłodzenia delta T a prędkością wzrostu eutektyki nu. Stosując technikę zamrażania próbek, odtworzono kształt frontu krystalizacji eutektyki alfa(Al)-Si i pokazano wyprzedzanie fazy ścianowej (płytki krzemu) względem fazy nieścianowej alfa(Al).