Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: Bridgman technique

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Modeling of dynamics of big size ZnGeP2 crystal growth by vertical Bridgman technique

Philippov M., Babushkin Y., Efimov S., Zamyatin S., Rudnicki V., Trofimov A., Gribenyukov A.

Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences

2018

Vol. 66, nr 3

283--290

The results of a modelling of big size single crystal ZnGeP2 growth dynamics in the multi-zone thermal installation based on the vertical variant of the Bridgman technique are given. Trustworthiness of the results modeling is achieved by means of creation of the mathematical model taking into account the particularities of the installation as well as the changes in installation work volume during crystallization. Temperature field changes during crystal growth by numerical technique were examined. It is demonstrated that growth container moving has a significant impact on temperature field in work volume and crystallization isotherm local position. Thus, the actual crystal growth rate differs from the nominal velocity of growth container moving. The data received as a result of modelling should be taken into account in new equipment designing, crystallization process control system development and crystal growth experiments planning.

Growth and microstructure of self-organized CoSi2Si in situ eutectic composite

Szostek K., Grudziel W., Wokulski Z.

Archives of Metallurgy and Materials

2008

Vol. 53, iss. 3

895-900

The aim of the study was to determine the type of the CoSi2-Si eutectic in situ composite raicrostructure in function of the growth ratę value. Ali growth processes were carried out using a directional crystallization techniąue with the Bridgman method at the constant value of the temperaturę gradient eąuals 170K/cm. The influence of the growth ratę on eutectic microstructure was examined. The rangę of applied growth rates was (20 500)µm/min. The prepared samples were investigated using light microscopy (OPTON interference microscope, Nikon alphaphot 2) and scanning electron microscopy (SEM). Phase composition analysis was carried out using PHILIPS PW 1130 diffractometer. It was ascertained that an application of growth rates of 100 µm/min or lower allows to receive the continuous lamellar character of the CoSi2-Si in situ composite microstructure. For growth rates from the rangę of (100 500)µm/min microstructure of the CoSii-Si in situ composite takes broken-lamellar form in parallel sections and at the 500µm/min value of growth ratę the transition of oriented microstructure type into irregular is observed.

Celem badań była charakterystyka mikrostruktury kompozytu eutektycznego CoSi2-Si in situ w funkcji prędkości wzrostu. Wszystkie procesy wzrostu przeprowadzone zostały przy użyciu techniki kierunkowej krystalizacji z wykorzystaniem metody Bridgmana przy stałej wartości gradientu temperatury, wynoszącej 170K/cm. Badano wpływ prędkości wzrostu na mikrostrukturę otrzymywanej eutektyki. Zakres stosowanych prędkości wzrostu mieścił się w przedziale (20-500)µm/min. Przygotowane próbki badano przy użyciu mikroskopii świetlnej (mikroskop interferencyjny OPTON, Nikon Alphaphot 2) i elektronowej mikroskopii skaningowej (SEM). Analiza składu fazowego została przeprowadzona przy pomocy dyfraktometru polikrystalicznego PHILIPS PW 1130. Wykazano, iż zastosowanie prędkości wzrostu równych lOOum/min, bądź niższych, pozwala otrzymać mikrostrukturę kompozytu CoSi2-Si o charakterze płytkowym. Dla prędkości wzrostu z przedziału (100 500)µm/min mikrostruktura sprzężonych faz CoSi2/Si na przekroju wzdłużnym wykazuje liczne nieciągłości, natomiast przy prędkości 500 µm/min obserwuje się przejście zorientowanej mikrostruktury w nieregularną.