Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: BiCMOS technology

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

A New Grounded Current Controlled Inductor Based on Simplified Current Conveyors

M'harzi Z., Alami M., Temcamani F.

International Journal of Electronics and Telecommunications

2017

Vol. 63, No. 2

227--232

In this paper, a new active grounded inductor controlled in current is described. This structure is realized using negative second generation current controlled conveyors and a single grounded capacitor, with no external resistance. The proposed circuit offers many advantages, such as: operation at high frequencies, simple circuit, tuning by the bias current, low power dissipation, etc. Comparison between this topology and those presented in literature is done to highlight the benefits of our structure. As an application, a bandpass filter based on the proposed active inductance is constructed to confirm the usability of the circuit and illustrate these performances. The filter center frequency and quality factor can be tuned independently. Simulation results, given under PSPICE software, present good agreement with the theoretical ones.

Rozwiązania technologiczne wybranych nowych mikromechanicznych czujników przyspieszenia

Łysko J., Stolarski E.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1999

Vol. 40, nr 5

13-19

W publikacji zaprezentowano rozwiązania technologiczne nowych mikromechanicznych czujników przyspieszenia. Przedstawiono sposób wykonywania bardzo cienkich, monokrystalicznych warstw krzemowych opracowanych w firmie Nova Sensor. W technologii BESOI, będącej połączeniem mikromechanicznej technologii powierzchniowej i objętościowej, rozwinięto tę metodę. Firma Analog Devices opracowała technologię czujnika przyspieszenia z wykorzystaniem procesu BiCMOS. Głębokie trawienie jonowe D-RIE krzemu zostało zastosowane w technologii czujników firmy STS. Zaprezentowano też dwuetapowe trawienie krzemu opracowane w LPMO-CNRS, pozwalające uzyskiwać monolityczne, struktury czujników o trzech osiach czułości. Opisano wykonywanie warstwy polikrzemu odpowiedniej dla technologii powierzchniowej mikromechaniki, a także technologię czujnika SA30 firmy SensoNor - największego europejskiego producenta akcelerometrów dla motoryzacji. Wreszcie, przedstawiono technologię światłowodowego czujnika przyspieszenia opracowaną w polskich laboratoriach.

New concepts of the silicon accelerometers technologies are presented. Thin monocrystalline silicon layers for the micromechanical applications were developed by the Nova Sensor. BESOI technology brings surface and bulk micromechanics together. Analog Devices applies BiCMOS technology to fabricate highly sophisticated sensors. Deep reactive ion etching was applied by the STS. Two-step silicon etching in KOH solution was developed by the LPMO-CNRS to fabricate 3D monolithic accelerometer chips. Deposition and anealing technology to form the SensoNor and fiberoptic technology from polish laboratories are presented as well.