Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Measurements of transient thermal impedance of SiC BJT

Szelągowska Joanna, Bisewski Damian, Zarębski Janusz

Przegląd Elektrotechniczny

|

2020

|

R. 96, nr 2

178--181

EN

The paper presents the computer-aided method of measuring of the transient thermal impedance of SiC BJTs. The advantages of this method are illustrated by means of measurements of the silicon carbide BJT operating at the different cooling conditions.

PL

W pracy przedstawiono komputerową metodę pomiaru przejściowej impedancji termicznej tranzystora SiC BJT. Zalety tego sposobu zilustrowano za pomocą pomiarów tranzystora SiC BJT pracującego w różnych warunkach chłodzenia.

2

Pomiary i obliczenia pojemności tranzystorów mocy BJT i SJT wykonanych z węglika krzemu

Szelągowska J., Zarębski J.

Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering

|

2018

|

No. 95

9--18

PL

W pracy zaprezentowano wyniki pomiarów charakterystyk pojemności C(u) sterowanych prądowo tranzystorów BJT i SJT, które zrealizowano z wykorzystaniem programowalnego systemu mierzącego firmy Keithley. Wyniki pomiarów porównano z wynikami obliczeń przy zastosowaniu popularnego i często stosowanego modelu Gummela-Poona tranzystora bipolarnego. Dla porównania, przedstawiono również wyniki pomiarów zaprezentowane w literaturze oraz w kartach katalogowych badanych przyrządów. Ponadto, oceniono wpływ temperatury otoczenia na kształt rozważanych charakterystyk pojemności.

EN

In the paper the results of measurements of capacitances C(u) of the current controlled BJT and SJT transistors was presented, for which a programmable measuring system manufactured by Keithley was used. The results of measurements was compared with results of the calculations obtained by using the popular and commonly used Gummel-Poon model. For comparison, the results of the measurements found in the literature and in the datasheets of the considered devices was presented as well. In addition, the influence of ambient temperature on the shape of the considered characteristics was also investigated.

3

Sterowniki bramkowe dla tranzystorów z węglika krzemu (SiC) - przegląd rozwiązań

Rąbkowski J., Zdanowski M., Barlik R.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2012

|

R. 88, nr 4b

187-192

PL

Artykuł przedstawia przegląd rozwiązań sterowników bramkowych tranzystorów mocy z węglika krzemu. Omówiono kolejno przypadki tranzystorów złączowych (JFET): normalnie załączonych a także normalnie wyłączonych oraz sterowniki prądu bazy dla tranzystorów bipolarnych (BJT). Przedstawiono także wyniki badań eksperymentalnych – przebiegi prądów i napięć zarejestrowane w trakcie testów dwupulsowych, obrazujące procesy łączeniowe dla każdego z omawianych tranzystorów.

EN

The paper presents an overview of the gate drive units for Silicon Carbide power transistors. Solutions for two types of Junction Field Effect Transistors: normally-on and normally-off as well as base drive units for bipolar transistors (BJTs) are described. Experimental results – waveforms of the currents and voltages recorded during double-pulse tests are presented in order to illustrate switching behavior of discussed transistors.

4

Analiza porównawcza właściwości modeli tranzystorów IGBT w symulatorach środowiska SPICE

Pawelski W.

Elektronika : prace naukowe

|

2000

|

nr 5

87-117

PL

Przedmiotem niniejszej pracy są ukladowo-zorientowane modele tranzystorów IGBT w szczególności przeznaczone do implementacji w środowisku SPICE - uniwersalnych symulatorów układów elektronicznych. Przedstawiono trzy różne makromodele IGBT zawarte w bibliotekach najnowszych wersji SPICE'a a także zaproponowano nowy nieliniowy model tego tranzystora. Zamieszczono wyniki badań porównawczych podstawowych właściwości statycznych i dynamicznych wszystkich czterech modeli.

EN

The IGBT transistor models for power electronic circuits design are the object of studies in presented paper. Such models should be sufficiently simple for calculation, parameters extraction and results interpretation. Generally for the circuit-oriented IGBT model appreciate the relation of fitting error to number parameters can be used. This coefficient should be evidently a minimum value. Great number physical and dimensional parameters of the physic-based models are difficult to be extracted from electrical measurement without knowing the details of device structure and fabrication data and they can't perform of this demands. Using the IGBT macromodel basing on BJT and MOSFET submodels in pseudo Darlington configuration it can obtain better results. In presented paper the properties of three IGBT models used in SPICE environment simulator and new universal IGBT model proposed to these packets are compared. In paper the investigation results of the static characteristic and some dynamic state waveforms for all four models are presented and discussed. While comparing the four different models it has been noted that the adaptation of simple level=l or level=3 SPICE MOSFET submodel does not give a satisfactory fitting of the real IGBT characteristics in the triode range, despite relative accordance to the measurements in the pentode range. It has been particularly evident in the transfer static characteristics. It has been proved that it is possible to fit precisely the IGBT on-state also in the triode range, applying a new nonlinear function, proposed in this paper in one of submodel. The investigations of this new model have shown a very good agreement between the simulation and measurements and average fitting errors order 2 %. This approach also enables the modelling of the two basic types of the IGBT structures, both symmetric and asymmetric, without the changing of the numbers of parameters.