Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Przegląd Elektrotechniczny

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: BGR

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

A New Bandgap Voltage Reference Circuit using CMOS Differential Voltage Current Conveyor

Hongprasit S.

Przegląd Elektrotechniczny

2014

R. 90, nr 8

80-83

This paper proposes a new approach of bandgap voltage reference (BGR) circuit design by using CMOS differential voltage current conveyor (DVCC). The proposed circuit employs single DVCC, which is able to reduce the number of devices used to bandgap core and start-up circuits. The simulation results indicate reference voltage of about 500mV, temperature coefficient (TC) of 20ppm/°C, which can be successfully operated with a minimum supply voltage of 1.2V in a temperature range of 0-100°C and a total power dissipation of 56.6 W at room temperature.

Opisano pasmowy wzorzec napięcia NBGR zaprojektowany w technologii CMOS z wykorzystaniem układu DVCC (differentia voltage current conveyor).Zaprojektowany wzorzec umożliwia uzyskanie napięcia ok. 500 mV ze współczynnikiem temperaturowym 20 ppm/oC przy minimalnym napięciu zasilającym 1.2 V przy poborze mocy 56 uV.

Design of Bandgap Core and Startup Circuits for All CMOS Bandgap Voltage Reference

Hongprasit S., Sa-Ngiamvibool W., Aurasopon A.

Przegląd Elektrotechniczny

2012

R. 88, nr 4a

277-280

This paper proposes a new self-biased op-ampˇŚs startup circuit design and improved bandgap core circuit for all CMOS bandgap voltage reference (BGR). In a conventional BGR circuit, the startup circuit may be designed either be required an external power on reset signal (POR) or composed of several MOS transistors for generating bias current and the bandgap core circuits has two nodes that are controlled currents and voltages by resistors of the same value. The new startup circuit presented here is designed by using only one NMOS transistor with circuit solutions suitable for low supply-voltage operation and achieved the correct bias point stability at the power on and the bandgap core circuit is defined the currents and voltages only one node which can be controlled by input voltages definition of op-amp are equalized for reducing the number of resistor. The simulation results indicate reference voltage of about 500.2 mV, temperature coefficient(TC) of 5ppm/˘XC, which can be successfully operated with a minimum power supply of 1.2V at a temperature of 0-100˘XC and a total power dissipation of 10.7 �ÝW at room temperature.

W artykule zaproponowano nowe możliwości projektowania CMOS pasmowych wzorców napięcia. W obwodach konwencjonalnych wymaga ne jest użycie zewnętrznego sygnału resetu albo użycie kilku tranzystorów MOS generujących prąd polaryzacji. W nowej koncepcji wykorzystywane są tylko tranzystory NMOS co umożliwia pracę przy niskim napięciu zasilającym.