Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: BCl3

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Reactive ion etching of 4H-SiC with BCl3 plasma

Stonio Bartłomiej, Kwietniewski Norbert, Firek Piotr, Sochacki Mariusz

Przegląd Elektrotechniczny

2021

R. 97, nr 2

57--59

The paper presents the results of plasma assisted reactive ion etching (RIE) of silicon carbide (4H-SiC). with a mixture of Ar and BCl3. The influence of input parameters such as process time, pressure, power and a ratio of working gases (Ar and BCl3) on the etch rate was investigated. The windows in SiO2 layer fabricated by PECVD process were patterned by photolithography. A stylus profilometry was a basic method of depth measurements after the etching processes.

W pracy zaprezentowano wyniki reaktywnego trawienia jonowego (Reactive Ion Etching – RIE) węglika krzemu (4H-SiC) wspomaganego plazmą na bazie gazów roboczych Ar+BCl3. Przeprowadzono analizę wpływu parametrów procesu trawienia: czasu procesu, ciśnienia w komorze roboczej, mocy i stosunku gazów roboczych (Ar i BCl3) na głębokość i szybkość trawienia węglika krzemu. Jako maskę w procesach użyto osadzonego plazmowo SiO2, w którym zostały zdefiniowane okna przy pomocy fotolitografii. Pomiary głębokości po procesach trawienia zrealizowane zostały metodą profilometrii.

Reactive ion etching of GaN and AlGaN/GaN assisted by Cl2/BCl3

Gryglewicz J., Oleszkiewicz W., Ramiączek-Krasowska M., Szyszka A., Prażmowska J., Paszkiewicz B., Paszkiewicz R., Tłaczała M.

Materials Science Poland

2011

Vol. 29, No. 4

260--265

This work reports on the latest results of etching of different AlxGa1??xN/GaN heterostructures in relation to percentage composition of aluminum. The etching processes were carried out in a reactive ion etching (RIE) system using the mixture of BCl3/Cl2/Ar. The topography of the heterostructures surfaces and the slope were controlled using atomic force microsopy (AFM) technique. The photoluminescence spectra were used to determine the surface damage and to calculate the Al content in AlGaN/GaN heterostructures commonly used for high electron mobility transistors (HEMTs) fabrication.