Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: BCI3 plasma

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Kontrolowane trawienia plazmą BCI₃/Ar cienkich warstw AlGaN dla technologii tranzystorów HEMT AlGaN/GaN

Kruszka R., Gołaszewska K., Taube A., Sidor Z., Borysiewicz M., Żytkiewicz Z. R., Kamińska E., Piotrowska A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2012

Vol. 53, nr 9

20-22

Przedstawiono procesy precyzyjnego trawienia cienkiej warstwy AlGaN dla technologii tranzystorów HEMT AlGaN/GaN. Trawienia cienkich warstw AlGaN prowadzono w plazmie dużej gęstości BCI₃/Ar uzyskując szybkości trawienia na poziomie 10 nm/min. Dla metalizacji Ti/Al/Ni/Au najniższą wartość rezystancji kontaktu AI₂₈Ga₇₂N/(Ti/AI/Ni/Au), wynoszące Rc= 1 Ωmm i rc = 2 • 10 ⁻⁵ Ωcm², zaobserwowano dla głębokości wytrawienia ok. 8 nm (nominalnie 15 nm od granicy 2DEG). Badania przewodnictwa elektrycznego techniką C-AFM ujawniły niejednorodności metalizacji kontaktowej w skali nanometrowej z widoczną siecią kanałów dobrego przewodnictwa elektrycznego wokół źle przewodzących ziaren.

Process of recess etching of thin AlGaN films for AlGaN/GaN HEMT technology is reported. The etching was carried out using high density BCI₃/Ar plasma yielding etch rates about 10 nm/min. It is shown, that for Ti/AI/Ni/Au metallization, the minimum contact resistance of a AI₂₈Ga₇₂N/(Ti/AI/Ni/Au) contact, i.e. Rc = 1 Ωmm and rc = 2•10 ⁻⁵ Ωcm² was achieved for the etch depth of 8 nm (corresponding to a nominal distance of 15 nm from the 2DEG). C-AFM conductivity studies revealed nanometer scale inhomo-geneities in the metallization area, with an network of high conductivity channels surrounding large low-conductivity grains.

Procesy trawienia suchego ICP w plazmie BCI₃ cienkich warstw HfO₂ wytworzonych techniką reaktywnego rozpylania katodowego

Kruszka R., Gołaszewska K., Taube A., Pasternak I., Korwin-Mikke K., Wzorek M., Kamińska E., Piotrowska A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 9

91-94

W pracy przedstawiono wyniki trawienia plazmowego ICP warstw HfO₂ wytwarzanych metodą reaktywnego rozpylania katodowego. Na podstawie badań porównawczych procesów trawienia wybrano plazmę BCI₃: F(sub)BCI3 = 30 sccm, P(sub)ICP/P(sub)RIE = 1000 W/100W, p = 10 mTorr, T = 20°C. Określono szybkość trawienia tlenku hafnu wynoszącą v∼80 nm/min, oraz seleklywność trawienia w stosunku do Si i SiC oraz selektywność trawienia HfO₂ do materiału maski tlenkowej (SiO₂) i emulsyjnej.

In this paper we present the results of the ICP etching of the HfO₂ layers deposited by the reactive sputtering After the comparative tests of the process parameters, BCI₃ plasma (f(sub)BCI3 = 30sccm, P(sub)ICP/P(sub)RIE = 1000W/100W, p = 10 mTorr, T = 20 °C) has been chosen. Etching rate of ∼80nm/min has been determined. Etching selectivity HfO₂:Si and HfO₂: SiC as well as selectmty to oxide (SIO₂) and emulsion masks have been measured. No changes in the roughness of HfO₂ layers have been observed.