Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: AlGaN/GaN heterostructures

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Chemical analysis of Ti/Al/Ni/Au ohmic contacts to AlGaN/GaN heterostructures

Macherzynski W, Indykiewicz K, Paszkiewicz B

Optica Applicata

2013

Vol. 43, nr 1

67--72

Ohmic contacts to AlGaN/GaN heterostructures, which have low contact resistance and a good surface morphology, are required for the development of high temperature, high power and high frequency electronic devices. The paper presents the investigation of a Ti/Al based Ti/Al/Ni/Au ohmic contact to AlGaN/GaN heterostructures. Multilayer metallization of Ti/Al/Ni/Au was evaporated by an electron gun (titanium and nickel layers) and a resistance heater (aluminum and gold layers). The contacts were annealed by rapid thermal annealing (RTA) system in a nitrogen ambient atmosphere over the temperature range from 715 to 865 °C. The time of the annealing process was 60 seconds. The chemical analysis, formation and deterioration mechanisms of Ti/Al/Ni/Au ohmic contacts to AlGaN/GaN heterostructures were studied as a function of the annealing process conditions by a scanning electron microscope (SEM) equipped with an energy dispersive spectrometer (EDS).

Czujnik wodoru AlGaN/GaN FAT-HEMT

Paszkiewicz B., Wośko M., Macherzyński W., Paszkiewicz R., Tłaczała M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2012

Vol. 53, nr 2

58-60

Azotki są doskonałymi materiałami do wytwarzania szeregu elementów. W WEMIF PWr prowadzono badania nad zastosowaniem heterostruktur AlGaN do wytwarzania tranzystorów mikrofalowych, biosensorów i czujników gazów. W artykule przedstawiono charakterystyki tranzystorowych czujników wodoru typu AlGaN/GaN FAT-HEMT {FAT-High Electron Mobility Transistors) z bramką katalityczną Pt. Pokazano, że tego typu czujniki mogą być stosowane do detekcji wodoru w szerokim zakresie koncentracji od 0,1 ppm do 10000 ppm.

Nitrides are attractive materials for numerous devices applications. The researches were carried out at WEMiF WrUT devoted to application of AlGaN/GaN heterostructures for fabrication of microwave HEMT transistors, biosensors and gas sensors. The article presents the hydrogen sensing characteristics of FAT-type AlGaN/GaN HEMT with catalytic Pd electrode. It was shown that FAT type Pt/AIGaN/GaN HEMTs have the ability to detect hydrogen in wide range of hydrogen concentration from 0.1 ppm to 10000 ppm.