Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Badanie elektrycznych właściwości powierzchni heterostruktur AlGaN/GaN/Si technikami mikroskopii ze skanującą sondą i oświetleniem

Szyszka Adam, Wośko Mateusz, Paszkiewicz Regina

Przegląd Elektrotechniczny

|

2019

|

R. 95, nr 9

157--160

PL

W artykule przedstawiono wstępne wyniki charakteryzacji elektrycznych właściwości heterostruktur AlGaN/GaN, osadzonych na podłożu krzemowym, wykonane skaningową mikroskopią pojemnościową oraz mikroskopią potencjału powierzchniowego przy jednoczesnym wykorzystaniu pobudzania optycznego próbki. Dzięki takiemu podejściu osiągnięto rozdzielczość przestrzenną rzędu dziesiątki nanometrów (typową dla pomiarów SPM) lecz jednocześnie możliwe było uzyskanie znacznie większej ilości użytecznych informacji o właściwościach struktury.

EN

The paper presents preliminary results of the characterization of the electrical properties of AlGaN/GaN heterostructures on a silicon substrate by scanning capacitance microscopy and scanning surface potential microscopy using the optical stimulation of a sample. Owing to such an approach, spatial resolution of tens of nanometers (typical for SPM measurements) was achieved, but at the same time it was possible to obtain much more useful information about material properties than using scanning probe microscopy alone, without illumination.

2

Scanning capacitance microscopy characterization of AIIIBV epitaxial layers

Szyszka A., Obłąk M., Szymański T., Wośko M., Dawidowski W., Paszkiewicz R.

Materials Science Poland

|

2016

|

Vol. 34, No. 4

845--850

EN

The applicability of scanning capacitance microscopy (SCM) technique for chosen electrical properties characterization of AIIIBV structures fabricated by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) was examined. The calibration curves for quantitative characterization of doping levels in GaAs layers were created. The AlGaN/GaN/Si heterostructures for high electron mobility transistor fabrication and InGaAs tunnel junction for tandem solar cell characterization were presented. The crucial factors of measurement conditions which could influence the obtained results were also discussed.

3

AlGaN/GaN HEMT’s photoresponse to high intensity THz radiation

Dyakonova N., But D. B., Coquillat D., Knap W., Drexler C., Olbrich P., Karch J., Schafberger M., Ganichev S. D., Ducournau G., Gaquiere C., Poisson M. A., Delage S., Cywinski G., Skierbiszewski C.

Opto-Electronics Review

|

2015

|

Vol. 23, No. 3

195-199

EN

We report on the photoresponse dependence on the terahertz radiation intensity in AlGaN/GaN HEMTs. We show that the AlGaN/GaN HEMT can be used as a THz detector in CW and in pulsed regime up to radiation intensity of several kW/cm². The dynamic range in the pulsed regime of detection can be more than 2 decades. We observed that the photoresponse of the HEMT could have a compound composition if two independent parts of the transistor are involved in the detection process; this result indicates that a more simple one channel device may be preferable on the detection purpose.

4

Konstrukcje tranzystorów HEMT AlGaN/GaN/Si przeznaczonych dla elektroniki mocy

Taube A., Kamińska E., Sochacki M., Piotrowska A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2015

|

Vol. 56, nr 10

23-26

PL

Parametry elektrofizyczne azotku galu wytwarzanego w postaci warstw epitaksjalnych na krzemie oraz dostępność podłoży krzemowych o dużej średnicy sprawiają, że tranzystory HEMT AlGaN/GaN/Si stanowią poważną konkurencję dla przyrządów krzemowych w układach dla energoelektroniki nowej generacji. W pracy omówiono różne konstrukcje tranzystorów HEMT AlGaN/GaN/Si przeznaczonych dla elektroniki mocy. Przedstawiono podstawowe operacje technologiczne prowadzące do uzyskania tranzystorów z kanałem wzbogacanym o dużej wartości napięcia przebicia i możliwie małym prądzie zaporowym.

EN

It is believed that, owing to excellent electro-physical parameters of gallium nitride and availability of large diameter silicon substrates, AlGaN/GaN/Si HEMTs will replace silicon transistors in the next generation power electronic devices. In this work we discusse the Al- GaN/GaN/Si HEMT structures design for power electronics and give an overwiev of basic methods of obtaining normally-off operation and increasing the breakdown voltage as well as reducing the impact of the silicon substrate on the leakage currents.

5

Influence of AlN spacer on the properties of AlGaN/AlN/GaN heterostructures

Wosko M, Paszkiewicz B, Paszkiewicz R, Tlaczala M

Optica Applicata

|

2013

|

Vol. 43, nr 1

61--66

EN

AlGaN/GaN heterostructures attract attention of many research groups over the last decade because of their superior properties (high mobility and saturation velocity of 2DEG) and strong capability in high frequency/power electronics and sensors applications. One of the factors which reduces the mobility of two-dimensional electron gas (2DEG) is the alloy and interface roughness scattering mechanism occurring at the heterointerface. Mathematical calculations of a wave-function of 2DEG in the channel show that theses two phenomena play an important role, due to the fact that some electrons in 2DEG can migrate into AlGaN barrier and be strongly dissipated. One of the proposed solutions against alloy scattering in the buffer layer is the use of thin AlN spacer at the heterointerface between AlGaN and GaN layers. AlN layer enhances the conduction band offset due to a polarization-induced dipole in the AlN layer, and therefore increases carrier confinement. Several Al0.18GaN0.82/AlN/GaN heterostructures with different AlN spacer layer thickness were grown by MOVPE method for studies of the Hall mobility and sheet carrier concentration of 2DEG. Hall measurements performed using Van der Pauw shown mobility maximum at nominally 1.3 nm AlN spacer thickness and almost linear dependence of sheet carrier concentration with AlN spacer thickness in the range from 0.7 to 2 nm.

6

Evaluation of AlGaN/GaN heterostructures properties by QMSA and AFM techniques

Szyszka A., Wośko M., Paszkiewicz B., Tłaczała M.

Materials Science Poland

|

2013

|

Vol. 31, No. 4

543--547

EN

Atomic force microscopy and Quantitative Mobility Spectrum Analysis (QMSA) were applied for characterization and evaluation of the quality of AlGaN/GaN heterostructures. The structural uniformity, growth mode and electrical properties of the heterostructures were determined. The obtained results indicated that the time of growth of the low temperature GaN nucleation layer inﬂuenced the morphology and electrical properties of the AlGaN/GaN heterostructure.

7

Kontrolowane trawienia plazmą BCI₃/Ar cienkich warstw AlGaN dla technologii tranzystorów HEMT AlGaN/GaN

Kruszka R., Gołaszewska K., Taube A., Sidor Z., Borysiewicz M., Żytkiewicz Z. R., Kamińska E., Piotrowska A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 9

20-22

PL

Przedstawiono procesy precyzyjnego trawienia cienkiej warstwy AlGaN dla technologii tranzystorów HEMT AlGaN/GaN. Trawienia cienkich warstw AlGaN prowadzono w plazmie dużej gęstości BCI₃/Ar uzyskując szybkości trawienia na poziomie 10 nm/min. Dla metalizacji Ti/Al/Ni/Au najniższą wartość rezystancji kontaktu AI₂₈Ga₇₂N/(Ti/AI/Ni/Au), wynoszące Rc= 1 Ωmm i rc = 2 • 10 ⁻⁵ Ωcm², zaobserwowano dla głębokości wytrawienia ok. 8 nm (nominalnie 15 nm od granicy 2DEG). Badania przewodnictwa elektrycznego techniką C-AFM ujawniły niejednorodności metalizacji kontaktowej w skali nanometrowej z widoczną siecią kanałów dobrego przewodnictwa elektrycznego wokół źle przewodzących ziaren.

EN

Process of recess etching of thin AlGaN films for AlGaN/GaN HEMT technology is reported. The etching was carried out using high density BCI₃/Ar plasma yielding etch rates about 10 nm/min. It is shown, that for Ti/AI/Ni/Au metallization, the minimum contact resistance of a AI₂₈Ga₇₂N/(Ti/AI/Ni/Au) contact, i.e. Rc = 1 Ωmm and rc = 2•10 ⁻⁵ Ωcm² was achieved for the etch depth of 8 nm (corresponding to a nominal distance of 15 nm from the 2DEG). C-AFM conductivity studies revealed nanometer scale inhomo-geneities in the metallization area, with an network of high conductivity channels surrounding large low-conductivity grains.