Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Montaż struktur AlGaN/GaN na Si do podłoży DBC w oparciu o technologię SLID oraz zgrzewania dyfuzyjnego mikroproszkiem Ag

Kisiel Ryszard, Sochacki Mariusz, Taube Andrzej, Guziewicz Marek

Przegląd Elektrotechniczny

|

2019

|

R. 95, nr 11

5--7

PL

Wykonano i zbadano układy połączeń chipów tranzystora HEMT AlGaN/GaN/(111)Si, metalizowanych warstwami montażowymi Cu, Ag lub Au, z podłożami DBC wykorzystując technologię SLID oraz technologię zgrzewania mikroproszkiem Ag. Siły adhezji połączeń chipów, w których zastosowano pośrednią galwaniczną warstwę (1 m)Sn, dobraną siłę nacisku, temperaturę 280oC i czas 30 min. dla procesu spiekania, są powyżej 22 MPa. Połączenie chipu ze spodnią metalizacją Ag zgrzewane z DBC poprzez mikroproszek Ag cechuje siła adhezji powyżej 22 MPa.

XX

The connection systems of AlGaN/GaN on (111)Si chip metallized with Cu, Ag or Au (mounting layers) were preformed to DBC plates using Solid Liquid phase Interdiffusion (SLID) technology and Ag sintering bonding, and the systems were verified. The chip adhesion forces for DBC samples with intermediate galvanic (1 m)Sn layer, and the load force matched to the chip size, temperature of 280oC and time of 30 min. for the sintering process, are above 22 MPa. Ag sintering bonding of the chip with backside Ag metallization to DBC substrate is exceeding 22 MPa.

2

Badanie elektrycznych właściwości powierzchni heterostruktur AlGaN/GaN/Si technikami mikroskopii ze skanującą sondą i oświetleniem

Szyszka Adam, Wośko Mateusz, Paszkiewicz Regina

Przegląd Elektrotechniczny

|

2019

|

R. 95, nr 9

157--160

PL

W artykule przedstawiono wstępne wyniki charakteryzacji elektrycznych właściwości heterostruktur AlGaN/GaN, osadzonych na podłożu krzemowym, wykonane skaningową mikroskopią pojemnościową oraz mikroskopią potencjału powierzchniowego przy jednoczesnym wykorzystaniu pobudzania optycznego próbki. Dzięki takiemu podejściu osiągnięto rozdzielczość przestrzenną rzędu dziesiątki nanometrów (typową dla pomiarów SPM) lecz jednocześnie możliwe było uzyskanie znacznie większej ilości użytecznych informacji o właściwościach struktury.

EN

The paper presents preliminary results of the characterization of the electrical properties of AlGaN/GaN heterostructures on a silicon substrate by scanning capacitance microscopy and scanning surface potential microscopy using the optical stimulation of a sample. Owing to such an approach, spatial resolution of tens of nanometers (typical for SPM measurements) was achieved, but at the same time it was possible to obtain much more useful information about material properties than using scanning probe microscopy alone, without illumination.

3

Zintegrowany układ oświetlenia próbki do mikroskopu ze skanującą sondą

Szyszka A., Paszkiewicz R, Szymański T., Tłaczała M.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2018

|

R. 94, nr 8

21--24

PL

W artykule przedstawiono budowę oraz funkcjonalność układu oświetlenia próbki zintegrowanego z sytemem mikroskopu ze skanujacą sondą. Układ ten umożliwia pobudzenie próbki promieniowaniem optycznym w trakcie pomiaru lokalnych właściwości elektrycznych metodami skaningowej mikroskopi potencjału powierzchniowego, skaningowej mikroskopi rezystancji rozproszonej oraz skaningowej mikroskopii pojemnośćiowej. Ma to na celu uzyskanie dodatkowych informacji o niejednorodnościach właściwości powierzchniowych stanach pułapkowych czyli o ich typie, położeniu w przerwie zabronionej oraz o czasach generacji/rekombinacji. Pierwsze eksperymenty przeprowadzone na zmodyfikownycm stanowisku Bruker Multimode V w trybie skaningowej mikroskopi pojemnościowej pozwoliły zaobserwować istnienie wpływu konstrukcji heterostruktury AlGaN/GaN/Si na właściwości defektów występujących w warstwie bariery AlGaN.

EN

In the work the design assumptions, construction and performance of integrated illumination system for scanning probe microscope is presented. The system allows for optical stimulation of sample during measurements of local electrical properties by Scanning Potential Microscopy, Scanning Spreading Resistance Microscopy and Scanning Capacitance Microscopy. Illumination of semiconductor sample using various wavelengths allow to obtain additional information about type, energy position and generation/recombination processes connected electronic surface states. First experiments using Bruker Multimode V Nanoscope AFM equipped with this system working in Scanning Capacitance Microscopy Mode showed the influence of AlGaN/GaN/Si heterostructure construction on electronic properties of surface defects in AlGaN barrier layer.

4

Badanie elektrycznych właściwości powierzchni heterostruktur AlGaN/GaN/Si techniką skaningowej mikroskopii pojemnościowej

Szyszka A., Szymański T., Tłaczała M., Wośko M., Paszkiewicz R.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2017

|

R. 93, nr 8

58--60

PL

Znaczne niedopasowanie stałych sieciowych oraz współczynników rozszerzalności cieplnej występujące pomiędzy warstwą epitaksjalną, a podłożem w heterostrukturach AlGaN/GaN/Si skutkuje dużą ilością defektów strukturalnych oraz występowaniem niejednorodności właściwości półprzewodnika. W prezentowanej pracy do zobrazowania lokalnych powierzchniowych niejednorodności elektrycznych właściwości AlGaN/GaN osadzanych na podłożu krzemowym techniką MOCVD została wykorzystana technika skaningowej mikroskopii pojemnościowej. Z analizy dwuwymiarowych map sygnału SCM oraz widm dC/dVAmp =f(VDC) w różnych obszarach powierzchni próbki wynika, że ujemny ładunek zgromadzony na dyslokacjach wstępujących w warstwach epitaksjalnych wpływa na właściwości powierzchni, lecz może nie mieć zdecydowanego wpływu na powstawanie dwuwymiarowego gazu elektronowego na interfejsie AlGaN/GaN.

EN

Large mismatch of lattice constants and thermal expansion coefficients between materials in AlGaN/GaN/Si heterostructures lead to high density of structural defects and material inhomogeneities in layers. In the presented work, local electronic properties of AlGaN/GaN/Si heterostructures are investigated using scanning capacitance microscopy. Analysis of two dimensional images of SCM signal and dC/dVAmp =f(VDC) spectrum allowed to conclude that negative charge accumulated at dislocations in epitaxial layers could affect the surface electronic state of the structure but might not have major impact on two dimensional electron gas formation at the AlGaN/GaN interface.