Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2009

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: Al and Au wire bonding

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Właściwości elektryczne i mechaniczne metalizacji kontaktowych Ni i Ti oraz wytworzonych na nich połączeń drutowych do n-SiC

Kisiel R., Guziewicz M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2009

Vol. 50, nr 6

26-31

Węglik krzemu (SiC) stał się obiektem szczególnego zainteresowania głównie tam, gdzie wymaganiom wysokotemperaturowym nie może sprostać krzem [1]. Półprzewodnikowe przyrządy mocy oparte na węgliku krzemu stają się handlowo dostępne do zastosowań wysokomocowych i wysokotemperaturowych, ale nie przekraczających 250 C. Niezawodność przyrządów z SiC jest ograniczona z jednej strony stabilnością termiczną kontaktów omowych wytworzonych w SiC [2], z drugiej strony materiałami stosowanymi do połączeń struktury SiC z podłożem, a także materiałami i technologiami użytymi do wykonania połączeń elektrycznych obszarów aktywnych struktury z wyprowadzeniami obudowy i samymi materiałami stosowanymi na obudowy przyrządów [3-6]. W celu wykorzystania specyficznych zalet oferowanych przez przyrządy SiC, niezbędnym staje się opanowanie technologii niezawodnych kontaktów omowych oraz opracowanie wysokotemperaturowych materiałów do połączenia z podłożem, zastosowanie odpowiednich technologii montażu oraz technologii zamykania tych przyrządów w obudowy. W artykule [7] przedstawiono rozwiązania, jakie można zastosować do wykonania połączeń ciepIno-mechaniczno-elektrycznych miedzy strukturą SiC, a podłożem z ceramiki alundowej lub z azotku glinu.

Unique properties of SiC lead this semiconductor for applications in new electronic devices operating at high temperatures, high power and high frequencies. There are a few problems related to the production of high temperature SiC devices. Developing of reliable ohmic contacts to SiC structure as well as a wire connection between the SiC ohmic contact and package leads are the serious tasks for today. The stability of Ni and Ti Au ohmic contacts onto n-SiC as well as the electrical and mechanical properties of Au and Al wire connection onto metallic contacts of n-SiC were investigated. The ohmic contact to n-SiC was formed by rapid thermal annealing of Ti film and Au metallization has been applied to form electrical connections using Au wire bonds. Long-term tests of the connections we re performed in air at 400 C. Evaluation of electrical parameters as well as morphology and structure of the Al metallization onto Ti or Ni based ohmic contacts and with Al wire bonding electrical connections show good stability after ageing at 400 C & 300 h. For SiC structures with Au metallization and Au wire bonding only Ti based ohmic contacts fulfilI thermal stability requirements.