Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: AP-MOVPE technology

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Technologia i charakteryzacja struktury p-i-n na bazie InGaAsN do zastosowania w ogniwie tandemowym InGaAsN/GaAs

Dawidowski W., Ściana B., Zborowska-Lindert I., Mikolášek M., Pucicki D., Radziewicz D., Bielak K., Badura M., Kováč J., Tłaczała M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2014

Vol. 55, nr 8

40-42

Wielozłączowe ogniwa słoneczne na bazie półprzewodników złożonych AIIIBV należą do najbardziej wydajnych przyrządów fotowoltaicznych. Sprawność konwersji takich ogniw przekracza 40% przy zastosowaniu skoncentrowanego promieniowania słonecznego. Ważnymi elementami w konstrukcji takiego przyrządu są poszczególne podogniwa wykonane z różnych materiałów półprzewodnikowych. W niniejszej pracy przedstawiono technologię AP-MOVPE dolnego podogniwa na bazie InGaAsN oraz wyniki charakteryzacji otrzymanej struktury epitaksjalnej. Ponadto zaprezentowano wyniki pomiarów J-V wytworzonych ogniw słonecznych typu p-i-n.

Multijunction solar cells (MJSCs) based on AIIIBV semiconductor compounds are the most effective photovoltaic devices. Efficiency of the MJSC devices exceeds 40% under concentrated sunlight. Individual subcells based on different semiconductors are crucial components of tandem solar cell. In this papers we describe AP-MOVPE technology of the bottom InGaAsN subcell and characterization of its epitaxial structure. Moreover, the fabrication process of the test solar cell structure and J-V measurement results are presented and discussed.

Zastosowanie InGaAsN w konstrukcji ogniwa słonecznego p-i-n

Dawidowski W., Ściana B., Zborowska-Lindert I., Pucicki D., Radziewicz D., Bielak K., Latkowska M., Kovac J., Tłaczała M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2012

Vol. 53, nr 7

90-92

Wzrost światowego zapotrzebowania na energię elektryczną wymusza rozwój badań w zakresie alternatywnych źródeł energii. Fotowoltaika wydaje się być perspektywicznym i nieszkodliwym dla środowiska sposobem konwersji promieniowania słonecznego na sygnał elektryczny. Obok powszechnych już ogniw i modułów krzemowych aktualnie badane są wysokosprawne, wielozłączowe ogniwa bazujące ma materiałach AIIIBV. W niniejszej pracy przedstawiono wyniki dotyczące zastosowania poczwórnych związków półprzewodnikowych InGaAsN w konstrukcji ogniwa słonecznego p-i-n.

The worldwide increase of electric power consumption forces the development of alternative sources of energy. Photovoltaics seems to be a promising and harmless to the natural environment method of producing electrical power. Besides silicon cells and panels, present researches are focused on high efficiency and multijunction solar cells based on AIIIBV semiconductors. This paper presents the results of application of the new InGaAsN semiconductor compounds in the p-i-n solar cell construction.