Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 2013

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: AI2O3 thin film

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Kinetyka wzrostu powłok Al2O3 osadzanych metodą PED i PLD

Jędrzejewski R., Baranowska J., Bańczerowska P.

Inżynieria Materiałowa

2013

Vol. 34, nr 5

463--466

Celem pracy było zbadanie kinetyki osadzania powłok dwoma metodami PVD: PLD - pulsacyjną ablacją laserową oraz PED - pulsacyjną ablacją elektronową. Otrzymano serie powłok A120, na podkładzie Si. W zależności od ciśnienia tlenu panującego w komorze przy danej liczbie strzałów otrzymano powłoki o różnej grubości, a więc przy różnej szybkości osadzania. Metodą XRD oraz SEM-EDS potwierdzono obecność A120, na powierzchni. Wykazano, iż dobór ciśnienia panującego w komorze ma istotny wpływ na morfologię powłoki.

The objective of the research was to investigate the kinetics of thin ﬁlm deposition by two PVD methods: PLD - Pulsed Laser Deposition and PED - Pulsed Electron Deposition. A series of Al2O3 coatings on the Si substrate were obtained. Depending on the oxygen pressure in the chamber by a given number of shots coatings with different thickness were obtained, which means with a different deposition rate. The presence of Al203, was confirmed by means of XRD and SEM-EDS methods. lt has been shown that the oxygen pressure in the chamber has a major impact on the morphology of the coatings.