Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: A3B5

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Monokryształy antymonku galu (GaSb) otrzymane metodą Czochralskiego

Mirowska A., Orłowski W., Bańkowska A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2010

Vol. 51, nr 1

53-55

Do otrzymywania monokryształów antymonku galu (GaSb) została wybrana metoda Czochralskiego. Zbadano wpływ parametrów technologicznych procesu na właściwości niedomieszkowanych monokryształów GaSb. Otrzymano niedomieszkowane monokryształy o orientacji <111> oraz <100> o koncentracji nośników p< 2·10¹⁷ cm⁻³ oraz ruchliwości u > 600 cm²/Vs mierzonej w 300K. Przeprowadzono próby domieszkowania antymonku galu na typ n przewodnictwa (domieszkowanie tellurem) oraz na typ p przewodnictwa (jako domieszki użyto krzem). W obu przypadkach otrzymano monokryształy o orientacji <100>.

Gallium antimonide (GaSb) single crystals were grown by Czochralski method. The influence of technological parameters on GaSb parameters has been investigated. Undoped <111> and <100> oriented GaSb single crystals were obtained with carrier concentration p < 2·10¹⁷ cm⁻³ and mobility μ > 600 cm²/Vs (measured in 300K). Gallium antimonide doping were done for n-type of conductivity (by tellurium) and for p-type (by silicon). In both cases <100> oriented single crystals were obtained.

Properties and origin of oval defects in epitaxial structures grown by molecular beam epitaxy

Szerling A., Kosiel K., Wójcik-Jedlińska A., Płuska M., Bugajski M.

Optica Applicata

2005

Vol. 35, nr 3

537-548

A class of macroscopic, so-called oval defects, which may be found in an epitaxial A3B5 materials grown by molecular beam epitaxy (MBE) technique, is studied in this paper. The investigations' were performed on the structures containing (Al)GaAs or InGaAs layers. The geometry, morphology as well as the optical properties of defects were studied by different experimental methods, like spatially resolved photoluminescence (SRPL), scanning electron microscopy (SEM) and cathodoluminescence (CL). The conclusions are drawn as to the sources of defects and conditions of their appearance.