Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: 2DEG structures

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Wyznaczanie profilu koncentracji nośników i domieszek w strukturach 2DEG na bazie GaN

Jung W., Gołaszewska K., Żytkiewicz Z. R., Sobańska M., Kłosek K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 9

124-126

W artykule przedstawiono wyniki badań profilu koncentracji nośników i domieszek w wielowarstwowych strukturach na bazie azotku galu. Pokazano, że pomiary charakterystyk pojemnościowo-napięciowych za pomocą sondy rtęciowej dają istotne informacje o upływnosci, grubości warstw i koncentracji nośników i mogą być z powodzeniem stosowane do testowania struktur z gazem dwuwymiarowym umożliwiając wyznaczenie koncentracji nośników i domieszek.

Non-destructive method for rapid determination of carrier and dopant concentration profiles in multilayer 2DEG GaN structures is presented. Mercury probe capacitance - voltage measurements give valuable. Information on layers leakage. thickness and carrier concentration.

Properties of constricted 2DEG/metal structures in microwave electric fields

Kozič A., Suziedelis A., Petkun V., Cerskus A., Shtrikmann H., Gradauskas J., Kundrotas J., Asmontas S.

Optica Applicata

2005

Vol. 35, nr 3

465-470

Detection properties of asymmetrically constricted 2DEG/metaI junctions were investigated at 10 GHz frequency at room and liquid nitrogen temperature. Operation of such detectors is based on non-uniform carrier heating in the constricted region. Different quality of the 2DEG channel was obtained for AlGaAs/GaAs modulation doped heterostructures with superlattice buffer structure and without it. Photoluminescence measurements exhibited effective charge accumulation in the AlGaAs/GaAs potential channel in the case of superlattice buffered structure, while in the non-buffered structure a substantial portion of excited carriers recombined in doped AlGaAs layer. The quality of the 2DEG channel was responsible for different polarity of the detected voltage as well as for different voltage sensitivity; in the case of the non-buffered structure the sensitivity reached almost 200 V/W value.