PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 6

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  źródło jonów
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Jonizacja izotopów radioaktywnych w gorącej wnęce o kształcie stożka
Turek M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2018
|
R. 94, nr 7
66--69
PL
Prezentowany jest model jonizacji we wnęce stożkowatej, uwzględniający rozpad promieniotwórczy i przyleganie cząstek do ścianek. Rozpatrywane są różne kształty wnęki: zarówno mocno wydłużone, jak i bardziej kompaktowe. Badano zależności wydajności jonizacji od okresu półrozpadu i średniego czasu przylegania. Wykazano, że wnęka wydłużona jest efektywniejsza w przypadku izotopów stabilnych, w przypadku izotopów krótkożyciowych wydajniejsza jest wnęka kompaktowa. Badano też zależność wydajności jonizacji od rozmiaru otworu ekstrakcyjnego.
EN
Model of ionization in a conical hot cavity taking into account radioactive decay and sticking of particles to the cavity walls is presented. Both elongated and compact cavity shapes are considered. Dependences of ionization efficiency on nuclide half-life and mean sticking time were under investigation. It is shown that long cavity is effective in the case of stable isotopes, while compact shapes prevail for the short-lived species. Changes of ionization effciency with the size of extraction opening were also studied.
2
Content available remote Influence of Penning ionization on ion source efficiency – numerical simulations
Turek M., Mączka D., Droździel A., Pyszniak K., Vaganov Y., Węgierek P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2018
|
R. 94, nr 7
116--119
EN
The numerical model of ionization in the plasma ion source taking the electron impact and Penning effect into account is presented. The influence of the Penning effect on the ionization efficiency is under investigation - it is shown that the carrier gas could improve ionization efficiency several times compared to the pure electron ionization case. Changes of the yield from the Penning ionization are investigated as a function of carrier gas concentration, ionization degree and concentration of carrier gas atoms in the metastable state.
PL
Przedstawiony jest model źródła jonów uwzględniający jonizację Penninga i elektronami. Zastosowanie gazu nośnego skutkujące zachodzeniem jonizacji Penninga może zwiększyć wydajność jonizacji nawet kilkukrotnie. Zbadano zmiany wydajności jonizacji od koncentracji gazu nośnego, atomów w stanie metastabilnym i stopnia jonizacji plazmy.
3
Content available remote Źródło jonów dla potrzeb spektroskopii jądrowej wykorzystujące plazmę generowaną strumieniem elektronów
Turek M., Maczka D., Słowiński B., Yushkevich Y., Pyszniak K., Zubrzycki J.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2013
|
R. 89, nr 5
290-293
PL
Zaprezentowano konstrukcję źródła jonów z plazmą generowaną strumieniem elektronów a także omówiono warunki pracy w reżymach on-line i off-line. Zaletą źródła jest jego dość duża wydajność (rzędu 2-5 % dla pierwiastków trudnolotnych) osiągana dzięki powstaniu pułapki potencjału w komorze jonizacyjnej. Przedstawiono oszacowania krytycznych warunków pracy zapewniających powstanie tej pułapki, a także optymalnej temperatury roboczej katody oraz ograniczenia narzucane przez konstrukcję źródła na okresy półrozpadu jonizowanych nuklidów.
EN
Construction of the electron beam generated plasma ion source is presented as well as its working conditions in the on-line and off-line modes. The advantage of the source is its relatively high ionization efficiency (~2-5% for refractory metals) achieved due to the existence of the potential trap inside the ionization chamber. The estimations of the critical working parameters leading to the formation of the trap and the estimation of the optimal cathode temperature are given. The constraints imposed by the construction details on ionized nuclide half-life are discussed.
4
Charakteryzacja diod p-i-n wytworzonych metodą implantacji warstw epitaksialnych 4H-SiC jonami glinu
Kwietniewski N., Pazio K., Sochacki M., Szmidt J., Droździel A., Kulik M., Prucnal S., Pyszniak K., Rawski M., Turek M., Żuk J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2009
|
Vol. 50, nr 6
32-35
PL
W pracy opisano wytwarzanie i charakteryzację diod p-i-n wytwarzanych w strukturach epitaksjalnych 4H-SiC. W celu uzyskania warstw typu p⁺ wykonano 4-krotną implantację jonami Al przy całkowitej dawce 7,1 · 10¹⁴ cm⁻2² dla uzyskania prostokątnego rozkładu głębokościowego. Implantację prowadzono przy temperaturze tarczy 500°C z użyciem implanatora jonów UNIMAS wyposażonego w plazmowe źródło jonów naszej konstrukcji. Zaimplantowany materiał został następnie wygrzany w argonie przez 20 min. w t = 1600°C. Przeprowadzono badania rozkładów głębokościowych SIMS oraz rozpraszania mikro-ramanowskiego. Z pomiarów metodą c-TLM wyznaczono wartości rezystancji charakterystycznej kontaktów. Pomiary Halla wykazały, że koncentracja nośników w warstwie implantowanej p⁺ o grubości 350 nm zawiera się w przedziale 3...4 · 10¹⁸ cm⁻³ Gęstość prądu wytworzonych diod osiąga maksymalną wartość 220 A/cm² przy polaryzacji w kierunku przewodzenia 10 V, natomiast napięcie przebicia zawiera się w granicach 550...600 V.
EN
We report on fabrication and characterization of 4H-SiC p-i-n diodes. In order to obtain p⁺ -type layer, a four energy Al box-like profile was implanted with atotal fluence of 7,1 • 10 ¹¹ cm ⁻² at 500°C, using the UNIMAS ion implanter equipped with a plasma ion source of our construction. Implanted material was subsequently annealed for 20 min at 1600°C in argon. SIMS depth profiling and micro-Raman scattering investigations we re performed. The values of specific contact resistance were determined by the c-TLM method. The performed Hall measurements have shown that 350 nm thick p⁺ layers are charac­terized by carrier concentration of 3...4 • 10 ¹⁸ cm ⁻³. The fabricated diodes have probed forward current density up to 220 A/cm² at 10 V forward drop and 550...600 V breakdown voltages.
5
Content available remote The GD source of neutralized ion beam as a tool of surface nanomodification
Wilk J., Kowalski Z.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2008
|
R. 84, nr 3
36-38
EN
The paper presents a simple and convenient source of neutralized ion beam as well as its use to surface nanomodification. Surface polishing, surface roughening, generation of surface and subsurface structure elements (waves, ripples) are discussed. All those events are especially crucial in such processes like ion-beam thinning of samples for TEM, sputter depth profiling, generation of patterns in sub-100 nm regime for micro/nanoelectronics.
PL
Artykuł prezentuje proste i użyteczne źródło zneutralizowanej wiązki jonów i jego zastosowanie do nanomodyfikacji powierzchni. Omówiono zagadnienia polerowania i chropowacenia powierzchni oraz generacji powierzchniowych i przypowierzchniowych elementów struktury (fale, zmarszczki). Znaczenie opisywanych zjawisk (procesów) jest szczególnie ważne w takich procesach jak jonowiązkowa preparatyka dla TEM, profilowanie głębokościowe z wykorzystaniem rozpylania jonowego, wytwarzanie submikrometrowych struktur dla mikro- i nanoelektroniki.
6
Content available remote Stanowisko pomiarowe do badania próżniowych przyrządów pomiarowych z gorącą katodą w stanach statycznych i dynamicznych
Szczepaniak L., Sikora J.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2008
|
R. 84, nr 3
270-272
PL
Przedstawione stanowisko jest przeznaczone do badania próżniowych przyrządów pomiarowych z gorącą katodą w stanach statycznych i dynamicznych. Ma to na celu poprawę parametrów metrologicznych takich przyrządów oraz w przyszłości możliwość badania przydatności nowych materiałów do budowy takich przyrządów.
EN
The presented computer controlled measurement system is dedicated to take static, dynamic and stochastic characteristics of ion sources with a hot filament, widely used in ion gauges and mass spectrometers The obtained results will be used to enhance a sensitivity of vacuum instruments with a new material of filaments.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.