Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 4

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  źródło elektronów
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available Druga rewolucja w konstrukcji lamp rentgenowskich
PL
W artykule przedstawiono najnowsze osiągnięcia w konstrukcji lamp rentgenowskich, które można określić drugą rewolucją. Mianowicie podstawowy problem jaki stwarzają dotychczasowe rozwiązania wynikające ze stosowania termicznego źródła elektronów (m.in. problem chłodzenia, sterowania pracą lampy) został rozwiązany poprzez wykorzystanie nanotechnologii do konstrukcji innowacyjnych źródeł elektronów w oparciu o emisję polową (nanorurki węglowe czy mikro-ostrza).
EN
The article presents the latest achievements in the design of X-ray tubes, which can be described as the second revolution. Namely, the basic problem posed by the current solutions resulting from the use of a thermal electron source (including the problem of cooling, tubes control) has been solved by using nanotechnology to construct innovative electron sources based on field emission (carbon nanotubes or micro-tips).
EN
The thermionic emission current is used in many vacuum devices such as evaporators, rare gas excimers, or electron beam objects for highenergy physics. The stability of the thermionic emission current is a very important requirement for the accuracy of those devices. Hence, there is a number of control systems that use a feedback signal directly proportional to the emission current in order to stabilize the thermionic emission current. Most of them use feedback from a high-voltage anode circuit to a low-voltage cathode circuit. However, there is a novel solution that uses linear cathode current distribution and processing of two cathode circuit voltage signals for converting the emission current to voltage. However, it is based on old-fashioned analog technology. This paper shows the thermionic emission current to voltage conversion method with the use of a digital control system. A digital realization of a multiplicative-additive algorithm is presented and proper work in closed-loop mode is confirmed.
PL
Prąd termoemisji elektronowej jest wykorzystywany w wielu przyrządach próżniowych takich jak ewaporatory, ekscymery gazów rzadkich czy w fizyce wysokich energii. Stabilność natężenia prądu termoemisji elektronowej jest ważnym wymaganiem w kontekście dokładności tych przyrządów. Istnieje wiele układów regulacji natężenia prądu termoemisji elektronowej, które używają sygnału sprzężenia zwrotnego wprost proporcjonalnego do natężenia prądu termoemisji elektronowej w celu jego stabilizacji. Większość z nich wykorzystuje sprzężenie od wysokonapięciowego obwodu anody do niskonapięciowego obwodu katody. Istnieje nowe rozwiązanie, które wykorzystuje liniowy rozkład prądu katody oraz przetwarzanie dwóch sygnałów z obwodu katody w celu konwersji natężenia prądu termoemisji na napięcie. Niestety metoda ta bazuje na przestarzałej technologii analogowej. W niniejszej pracy pokazana została konwersja natężenia prądu termoemisji elektronowej na napięcie z użyciem cyfrowego układu automatycznej regulacji. Cyfrowa realizacja algorytmu multiplikatywno-addytywnego została zaprezentowana, a poprawna praca w zamkniętej pętli sprzężenia zwrotnego potwierdzona.
PL
W pracy przedstawiono konstrukcję i technologię planarnego, polowego źródła elektronów. Planarny emiter polowy został fotolitograficznie uformowany z cienkiej warstwy złota naniesionej na utlenione podłoże krzemowe. Pomiary charakterystyk prądowo-napięciowych wykazały, że źródło elektronów w konfiguracji diodowej charakteryzuje się niskim napięciem progowym emisji i dużym prądem. Uzyskane wyniki pozwolą w przyszłości na zastosowanie opracowanego źródła elektronów w miniaturowych urządzeniach próżniowych typu MEMS.
EN
In the paper a construction and technology of the lateral, field-emission electron source are presented. Lateral nanoemitter is made from a thin gold layer, which has been deposited onto oxidized silicon wafer and photolitographically patterned. The obtained diode type structures were tested in oil-free vacuum chamber under the pressure of 2·10 ⁻³ Pa. Measurements of the current-voltage curves showed that the source has a Iow threshold voltage of field-emission (about 15 V) and high emission current (about 1 mAfor 100 V). In future, the presented results allow integration of the lateral field-emission source with miniature MEMS type vacuum devices.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.